【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电半导体,具体涉及一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。
技术介绍
1、溶液处理的金属卤化物钙钛矿已被证明是最有前途的nir led发射器件。目前高性能的近红外peled都以是自发形成的亚微米钙钛矿结构制备而成,实现了nir-peled的最高效率,其eqe为22.2%的记录值。但是几乎没有关于连续薄膜作为发光层的报道,这是由于溶液处理难以控制薄膜的形成,这严重影响了钙钛矿前体和衬底底层之间连续薄膜的形成,不连续的薄膜会导致器件电流的泄漏、薄膜缺陷增加,影响器件的性能。
2、此外,由于固溶过程的不可控因素,钙钛矿薄膜质量低,晶粒分布不均匀,覆盖率低,表面形貌差,这可能导致大量缺陷,从而影响发光效率,因为薄膜陷阱增加了非辐射重组载体。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用,以克服现有技术中存在的不足。
2、为实现前述专利技术目的,本专利技术实施例采用的技术方案包括:
3、本专利技术实施
...【技术保护点】
1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括:提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液,并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜;
2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、FAI、PbI2和CsI。
3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。
4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括:将所述钙钛矿前驱体液涂
...【技术特征摘要】
1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括:提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液,并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜;
2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、fai、pbi2和csi。
3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。
4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括:将所述钙钛矿前驱体液涂布在基底上,并在100-120℃退火10-16min,制得所述钙钛矿薄膜。
5.由权利要求1-4中任一项所述方法制备的连续高质量钙钛矿薄膜。
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉楠,唐兆兵,周扬州,向超宇,
申请(专利权)人:宁波杭州湾新材料研究院,
类型:发明
国别省市:
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