连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用技术

技术编号:40960046 阅读:25 留言:0更新日期:2024-04-18 20:38
本发明专利技术揭示了一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。所述连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,包括:提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液,并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜;其中,所述氨基酸添加剂选自碳链长度为5‑8的氨基酸,并且所述氨基酸的一个末端连接有羧基,另一个末端连接有氨基或羟基,且与羧基相邻的碳原子上连接有至少一个氨基。本发明专利技术通过在钙钛矿前驱体中加入氨基酸添加剂,以均匀晶粒作为发光层的钙钛矿的覆盖率得到了极大的改善,从而显着减少了钙钛矿薄膜的针孔,形成了连续的薄膜,提高了薄膜晶粒的结晶度,使晶粒更加均匀分布,提高了钙钛矿薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电半导体,具体涉及一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用


技术介绍

1、溶液处理的金属卤化物钙钛矿已被证明是最有前途的nir led发射器件。目前高性能的近红外peled都以是自发形成的亚微米钙钛矿结构制备而成,实现了nir-peled的最高效率,其eqe为22.2%的记录值。但是几乎没有关于连续薄膜作为发光层的报道,这是由于溶液处理难以控制薄膜的形成,这严重影响了钙钛矿前体和衬底底层之间连续薄膜的形成,不连续的薄膜会导致器件电流的泄漏、薄膜缺陷增加,影响器件的性能。

2、此外,由于固溶过程的不可控因素,钙钛矿薄膜质量低,晶粒分布不均匀,覆盖率低,表面形貌差,这可能导致大量缺陷,从而影响发光效率,因为薄膜陷阱增加了非辐射重组载体。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用,以克服现有技术中存在的不足。

2、为实现前述专利技术目的,本专利技术实施例采用的技术方案包括:

3、本专利技术实施例提供了一种连续高质本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括:提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液,并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜;

2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、FAI、PbI2和CsI。

3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。

4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括:将所述钙钛矿前驱体液涂布在基底上,并在10...

【技术特征摘要】

1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括:提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液,并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜;

2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、fai、pbi2和csi。

3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。

4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括:将所述钙钛矿前驱体液涂布在基底上,并在100-120℃退火10-16min,制得所述钙钛矿薄膜。

5.由权利要求1-4中任一项所述方法制备的连续高质量钙钛矿薄膜。

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【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉楠唐兆兵周扬州向超宇
申请(专利权)人:宁波杭州湾新材料研究院
类型:发明
国别省市:

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