【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种硅片的键合方法以及混合溶液在硅片键合前进行表面活化处理的应用。
技术介绍
1、在晶圆键合工艺中，晶圆键合界面的原子反应程度决定着键合强度的高低，现行工艺中，常常需要外加能量使键合界面的原子反应而使键合界面增强至特定键合强度。需要提供一种低温活化晶圆表面从而增强键合强度的方法。现有技术键合前采用rca标准清洗法清洗去除晶圆表面金属及有机污染并活化晶圆表面，而键合晶圆表面活性的不足导致键合强度太低。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种硅片的键合方法以及混合溶液在硅片键合前进行表面活化处理的应用，能够提高键合强度。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种硅片的键合方法，在键合前采用氨水、双氧水与水的混合溶液对键合表面进行活化处理，所述混合溶液中，nh4oh在混合溶液中的质量浓度为0.5％-1.5％，h2o2在混合溶液中的质量浓度为1％-2％，其余为水。
3、可选的，所述nh4oh在混合溶液中的质量浓度为1％，h2o2在混合溶液中的质量浓度为1.6％，其余为水。
4、可选的，所述方法进一步包括如下步骤：提供待键合的第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底的表面采用氨水、双氧水与水的混合溶液对键合表面进行活化处理；对第一衬底和第二衬底进行预键合
5、可选的，所述键合表面的材料为为单晶硅。
6、一种混合溶液在硅片键合前进行表面活化处理的应用，其特征在于，所述混合
7、根据权利要求5所述的溶液，其特征在于，所述nh4oh在混合溶液中的质量浓度为1％，h2o2在混合溶液中的质量浓度为1.6％，其余为水。
8、本专利技术采用氨水、双氧水与水的混合溶液对键合表面进行处理，并且对上述混合溶液的比例做出优化，找出合适的浓度值。
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1.一种硅片的键合方法，其特征在于，在键合前采用氨水、双氧水与水的混合溶液对键合表面进行活化处理，所述混合溶液中，NH4OH在混合溶液中的质量浓度为0.5％-1.5％，H2O2在混合溶液中的质量浓度为1％-2％，其余为水。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NH4OH在混合溶液中的质量浓度为1％，H2O2在混合溶液中的质量浓度为1.6％，其余为水。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合表面的材料为为单晶硅。
5.一种混合溶液在硅片键合前进行表面活化处理的应用，其特征在于，所述混合溶液包括NH4OH、H2O2、以及H2O，NH4OH在混合溶液中的质量浓度为0.5％-1.5％，H2O2在混合溶液中的质量浓度为1％-2％，其余为水。
6.根据权利要求5所述的溶液，其特征在于，所述NH4OH在混合溶液中的质量浓度为1％，H2O2在混合溶液中的质量浓度为1.6％，其余为水。
【技术特征摘要】
1.一种硅片的键合方法，其特征在于，在键合前采用氨水、双氧水与水的混合溶液对键合表面进行活化处理，所述混合溶液中，nh4oh在混合溶液中的质量浓度为0.5％-1.5％，h2o2在混合溶液中的质量浓度为1％-2％，其余为水。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述nh4oh在混合溶液中的质量浓度为1％，h2o2在混合溶液中的质量浓度为1.6％，其余为水。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括如下步骤：
...【专利技术属性】
技术研发人员：陈猛，刘红兵，张晨膑，叶斐，黎敬，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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