【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种键合方法以及soi衬底的制备方法。
技术介绍
1、半导体领域内已经有低温预键合技术，键合晶圆直接在高温退火后从注氢面剥离得到soi衬底，但是这种工艺流程剥离后的soi边缘存在较宽的未键合的悬空区域。因此，如何改进键合工艺，降低soi边缘的未键合区域宽度，是现有技术需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种键合方法以及soi衬底的制备方法，能够降低键合工艺边缘的未键合区域宽度。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种键合方法，包括如下步骤：提供第一硅衬底和第二硅衬底；对第一硅衬底和/或第二硅衬底的表面进行活化处理，使其表面会吸附-oh基团；将第一硅衬底和第二硅衬底预键合形成组合衬底：加热预键合后的组合衬底，并维持一预定时间，对键合界面进行保温脱水。
3、可选的，加热预键合后的组合衬底至60-120℃。
4、可选的，所述预定时间为3-8小时。
5、可选的，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均进行活化处理。
6、可选的，第一硅衬底和第二硅衬底的至少其一表面具有氧化层。
7、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种soi衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一硅衬底和第二硅衬底；对第一硅衬底进行离子注入形成器件层；在第一硅衬底和/或第二硅衬底的表面形成氧化层；对第一硅衬底和/或第二硅衬底的表面进行活化处理，使其表面会吸附-oh基团；将第一硅衬底和第二
8、可选的，加热预键合后的组合衬底至60-120℃。
9、可选的，所述预定时间为3-8小时。
10、可选的，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均进行活化处理。
11、可选的，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均形成氧化层。
12、本专利技术采用活化和保温的方式，将界面处的范德华力转化成化学键力，增强了键合界面强度，降低了未键合区域宽度。将其应用在soi衬底制备领域，可以为剥离工艺提供更好的支撑环境。
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1.一种键合方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热预键合后的组合衬底至60-120℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间为3-8小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均进行活化处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的至少其一表面具有氧化层。
6.一种SOI衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，加热预键合后的组合衬底至60-120℃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定时间为3-8小时。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均进行活化处理。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均形成氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种键合方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热预键合后的组合衬底至60-120℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间为3-8小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的表面均进行活化处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一硅衬底和第二硅衬底的至少其一表面具有氧化层。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈猛，张晨膑，叶斐，黎敬，王千喜，刘红兵，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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