【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体硅片，尤其涉及一种硅片表面金属杂质的取样装置。
技术介绍
1、半导体硅片的制造过程包括长晶、切割、倒角、研磨、抛光和清洗等，在这些制造过程中，由于制造工艺和制造工具的未优化原因，或者气体和化学物质的低质量原因，硅片表面会被金属杂质(示例性地，fe、ni、cu等)所污染，进而影响半导体硅片的制造质量。且硅片表面的金属杂质往往会引入额外的电子或空穴，导致硅片表面的载流子浓度发生改变，还可能成为复合中心，大幅度降低了少数载流子的寿命。另外，硅片表面的金属杂质容易在位错等缺陷处形成金属沉淀，对硅片的性能造成严重的破坏作用，导致相关器件的良率降低。
2、目前，对硅片表面金属杂质的取样步骤，是在半导体硅片的产品出货前，以此保证生产出的半导体硅片的产品是满足客户需求的。但是，在整个半导体硅片的制造过程中，并没有对硅片表面金属杂质进行实时监控，不确定硅片表面是在哪个制造过程中被金属杂质污染。以及，在整个半导体硅片的制造过程中，不同的制造过程，需要采用不同的方法对硅片表面的金属杂质进行取样，且为了防止取样设备的污染，还需...
【技术保护点】
1.一种硅片表面金属杂质的取样装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的取样装置，其特征在于，所述取样槽包括内壁和多个凸起结构；
3.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述凸起结构与所述取样槽的边沿相距预设距离，以使在第一方向上，所述待取样的硅片的表面低于所述取样槽的边沿；其中，所述第一方向与所述取样槽的边沿所在平面垂直。
4.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述凸起结构均匀分布于第一平面上；其中，所述第一平面与所述取样槽的边沿所在平面平行。
5.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述取...
【技术特征摘要】
1.一种硅片表面金属杂质的取样装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的取样装置，其特征在于，所述取样槽包括内壁和多个凸起结构；
3.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述凸起结构与所述取样槽的边沿相距预设距离，以使在第一方向上，所述待取样的硅片的表面低于所述取样槽的边沿；其中，所述第一方向与所述取样槽的边沿所在平面垂直。
4.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述凸起结构均匀分布于第一平面上；其中，所述第一平面与所述取样槽的边沿所在平面平行。
5.根据权利要求2所述的取样装置，其特征在于，所述取样槽还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘维海，庞龙龙，聂环，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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