System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 探针和探针卡制造技术_技高网

探针和探针卡制造技术

技术编号:40505044 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-01 13:19
探针(20)利用由具有导电性的第一金属构成的低电阻构件(L)和由电阻率比低电阻构件(L)高的、具有导电性的第二金属构成的高电阻构件(H)构成,在接触部(20c)和端子部(20t)之间,在与对检查对象(W)进行检查时的探针(20)的压曲方向不同的第一方向(Y)上,具有按照高电阻构件(H)、作为空隙的狭缝(S)、低电阻构件(L)的顺序构成的多层部(T5、T505、T603),从压曲方向(Z)观察多层部(T5、T505、T603)时,低电阻构件(L)和高电阻构件(H)以不重叠的方式配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请涉及探针和探针卡


技术介绍

1、探针卡是安装有探针(probe pin)的卡片(基板)。探针卡通过探针将形成在半导体晶片上的半导体器件的电子电路的电极(电源输入电极、信号输出电极、接地电极)分别与测试装置连接。

2、半导体器件的电子电路的电气特性的检查是通过向半导体器件提供电流使半导体器件进行动作,确认半导体器件是否输出预先确定的信号来进行的。在该检查中,在电源供给用的探针(电源引脚)和接地用的接地探针(接地引脚)中流过较大的电流。

3、在检查半导体器件时,如果在电源引脚、接地引脚中流过大电流,则有时会产生探针烧损的不良情况。因此,期望容许电流值较高的探针。

4、在维持探针的机械强度的基础上,为了提高容许电流值,提出了将高电阻的导体和低电阻的导体并排配置,利用高电阻的导体维持探针的机械强度,由低电阻的导体构成流过大电流的电流路径(参照专利文献1)。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本专利第5995953号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的技术问题

2、但是,如专利文献1所示的探针那样,即使在将具有多个不同电阻率的导体设定空隙并排配置的情况下,也存在如下问题:低电阻的导体发热而膨胀,通过与高电阻的导体接触,热传递到高电阻的导体,机械强度降低。

3、另外,在垂直配置的探针的情况下,为了确保探针与电子电路的电极的接触,将探针卡按压在半导体晶片上,直到探针压曲为止。因此,如果导电率不同的导体沿压曲方向排列,则存在因热膨胀和由压曲引起的位移而使得导体彼此容易接触的问题。

4、本申请公开了一种用于解决上述问题的技术,其目的在于提供一种能够维持机械强度和提高容许电流值的探针和探针卡。

5、用于解决技术问题的技术手段

6、本申请公开的探针是在长边方向的一端具有与检查对象的电极接触的接触部、在长边方向的另一端具有与电路基板接触的端子部的探针,

7、所述探针利用由具有导电性的第一金属构成的低电阻构件和由电阻率比所述低电阻构件高的、具有导电性的第二金属构成的高电阻构件构成,在所述接触部和所述端子部之间,在与对所述检查对象进行检查时的所述探针的压曲方向不同的第一方向上,具有按照所述高电阻构件、作为空隙的狭缝、所述低电阻构件的顺序构成的多层部,从所述压曲方向观察所述多层部时,所述低电阻构件和所述高电阻构件以不重叠的方式配置。

8、另外,本申请公开的探针卡包括多个所述探针。

9、专利技术效果

10、根据本申请公开的探针和探针卡,可以提供能够维持机械强度和提高容许电流值的探针和探针卡。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探针,在长边方向的一端具有与检查对象的电极接触的接触部,在长边方向的另一端具有与电路基板接触的端子部,所述探针的特征在于,所述探针利用由具有导电性的第一金属构成的低电阻构件和由电阻率比所述低电阻构件高的、具有导电性的第二金属构成的高电阻构件构成,

2.如权利要求1所述的探针,其特征在于,

3.如权利要求2所述的探针,其特征在于,

4.如权利要求3所述的探针,其特征在于,

5.如权利要求1所述的探针,其特征在于,

6.如权利要求2所述的探针,其特征在于,

7.如权利要求1至6中任一项所述的探针,其特征在于,

8.如权利要求1所述的探针,其特征在于,

9.如权利要求1所述的探针,其特征在于,

10.一种探针卡,其特征在于,

11.一种探针卡,其特征在于,包括:

12.如权利要求11所述的探针卡,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种探针,在长边方向的一端具有与检查对象的电极接触的接触部,在长边方向的另一端具有与电路基板接触的端子部,所述探针的特征在于,所述探针利用由具有导电性的第一金属构成的低电阻构件和由电阻率比所述低电阻构件高的、具有导电性的第二金属构成的高电阻构件构成,

2.如权利要求1所述的探针,其特征在于,

3.如权利要求2所述的探针,其特征在于,

4.如权利要求3所述的探针,其特征在于,

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【专利技术属性】
技术研发人员:大隈江辉
申请(专利权)人:日本电子材料株式会社
类型:发明
国别省市:

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