接触探针制造技术

提供一种抑制接触探针与引导板干涉所引起的削屑的产生的电接触构件。其具备接触部(2)、弹性变形部(4)及前端部(3)，接触部(2)具有由外侧的金属层(11、13)夹着中间的金属层(12)的层叠构造，且抵接于检查对象物，弹性变形部(4)在长边方向的压缩力的作用下，以向预先确定的弯曲方向(N)弯曲的方式弹性变形，前端部(3)形成在接触部(2)以及弹性变形部(4)之间，并被引导板(120)的贯通孔(121)支承为使得接触部(2)在长边方向上能够移动，在弹性变形部(4)的弯曲方向(N)及其反方向(N’)形成的前端部(3)的侧面由三个金属层(11～13)构成，在该侧面中，中间的金属层(12)比外侧的金属层(11、13)更突出。

【技术实现步骤摘要】
接触探针本申请是国际申请日为2013年11月27日、申请号为201380056852.6(国际申请号为PCT/JP2013/081957)、专利技术名称为“电接触构件”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及一种电接触构件，更详细地说，涉及一种伴随着弹性变形部的弹性变形而使接触部接触于电极端子的电接触构件，例如涉及用于半导体设备的电特性试验中的接触探针的改良。
技术介绍
半导体设备的电特性试验是通过使半导体晶片接近在配线基板上形成有许多接触探针的探针板，从而使各接触探针与半导体晶片上的电极衬垫接触，经由接触探针进行测试信号的输入输出而进行的。在使接触探针与电极衬垫接触时，在两者到达开始接触的状态后，进而进行使半导体晶片接近探针板的处理。将这种处理称为过激励(overdrive)，另外，将过激励的距离称为过激励量。过激励是使接触探针弹性变形的处理，通过进行过激励，即便在电极衬垫的高度和接触探针的高度上存在偏差，也能够使所有的接触探针可靠地接触于电极衬垫。本申请专利技术人在早先的专利申请中，提出了一种使接触探针的高频特性提高的方法(专利文献1)。专利文献1所记载的接触探针具备隔着空隙而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触探针，其特征在于，具备：接触部，其抵接于检查对象物；端子部，使其与配线基板导通；弹性变形部，其设置在上述接触部与上述端子部之间，具有预先确定弯曲方向的弯曲形状；以及滑动部，其由引导板的贯通孔支承为能够在长边方向上移动，通过上述弹性变形部的弯曲而朝规定的方向偏斜，上述弯曲方向是与上述弹性变形部的长边方向正交的上述弹性变形部的挠曲方向，上述滑动部具有在上述规定的方向上与上述贯通孔的内侧平面对置的侧面，上述侧面包括在宽度方向上位于外侧的两个外侧部以及由上述两个外侧部夹着的中间部，上述中间部比上述外侧部更向上述规定的方向突出。

【技术特征摘要】
2012.12.04 JP 2012-265364;2013.01.09 JP 2013-001901.一种接触探针，其特征在于，具备：接触部，其抵接于检查对象物；端子部，使其与配线基板导通；弹性变形部，其设置在上述接触部与上述端子部之间，具有预先确定弯曲方向的弯曲形状；以及滑动部，其由引导板的贯通孔支承为能够在长边方向上移动，通过上述弹性变形部的弯曲而朝规定的方向偏斜，上述弯曲方向是与上述弹性变形部的长边方向正...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村哲平，福岛则之，浦田敦夫，有田直树，武田朋之，
申请(专利权)人：日本电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP