【技术实现步骤摘要】
随着半导体装置变得更加高度集成，为了在相同区域中实现更多的半导体装置，独立的电路图案变得更加小型化。例如，随着半导体装置的集成度的提高，用于半导体装置的组件的设计规则减少。在高度缩小的半导体装置中，形成具有置于布线之间的多个掩埋接触件和多个直接接触件的多条布线的工艺变得越来越复杂和困难。在高度缩小的半导体装置中，相邻的掩埋接触件和直接接触件之间的空间有限的情况下，如果相邻的掩埋接触件和直接接触件没有适当地分离，则会发生短路。因此，期望开发一种能够可靠地分离相邻的接触件的稳健的结构和/或工艺，使得可以防止高度缩小的半导体装置中的相邻的接触件之间的短路。
技术介绍
1、本公开涉及一种半导体存储器装置，更具体地，涉及一种包括彼此交叉的多条布线和多个掩埋接触件的半导体存储器装置。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种具有增强的可靠性和性能的半导体存储器装置。
2、根据本公开的实施例，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件隔离层限定的有源区域；位线，设置在基底上并且在第一方向上延伸；位线接触件，设置在位线与基底之间并且将位线连接到有源区域；位线间隔件，沿着位线的侧壁延伸；以及位线接触件间隔件，沿着位线接触件的侧壁延伸且不沿着位线的侧壁延伸。
3、根据本公开的实施例，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件隔离层限定的第一有源区域至第三有源区域，第二有源区域设置在第一有源区域与第三有源区域之间；位线接触
4、根据本公开的实施例，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件隔离层限定并且在第一方向上延伸的有源区域，有源区域包括第一区域和限定在第一区域的相对侧处的第二区域；字线，在基底和器件隔离层中沿第二方向延伸并且与有源区域的第一区域和有源区域的第二区域交叉；位线，设置在基底和器件隔离层上，在与第二方向正交的第三方向上延伸，并且连接到有源区域的第一区域；位线接触件，设置在位线与基底之间并且连接到位线，位线接触件的上表面在第二方向上的宽度小于位线的底表面在第二方向上的宽度；存储接触件，设置在基底上并且连接到另一有源区域的与所述有源区域相邻的第二区域；存储垫，设置在存储接触件上并且连接到存储接触件；以及电容器，设置在存储垫上并且连接到存储垫。
5、应注意的是，本公开的效果不限于上述效果，并且本公开的其它效果将通过以下描述而清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，基于位线接触件的底表面，位线接触件的上表面在与存储接触件的上表面的水平相同或比存储接触件的上表面的水平高的水平处。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于或等于存储接触件在第二方向上的宽度。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件间隔件的高度小于或等于存储接触件的高度。
6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：信息存储部分，设置在存储垫上并且与存储垫接触。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件的上表面在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于或等于位线的底表面在第二方向上的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，从位线接触件的底表面到位线接触件的上表面的高度等于从位线接触件的底表面到位线
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线和位线接触件中的每个包括宽度中心线，并且
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件间隔件为单层，并且
11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：位线间隔件，沿着位线的侧壁延伸，
13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于第一存储接触件在第二方向上的宽度。
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，第一存储接触件在第二方向上的宽度等于第二存储接触件在第二方向上的宽度。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，第一存储接触件在第二方向上的宽度大于第二存储接触件在第二方向上的宽度。
16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件的上表面在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于或等于位线的底表面在第二方向上的宽度。
17.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：位线接触件间隔件，设置在位线接触件与存储接触件之间，
19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：位线间隔件，设置在位线与存储垫之间，
20.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，从位线接触件的底表面到存储垫的最下面的部分的高度小于或等于从位线接触件的底表面到位线的底表面的高度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，基于位线接触件的底表面，位线接触件的上表面在与存储接触件的上表面的水平相同或比存储接触件的上表面的水平高的水平处。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于或等于存储接触件在第二方向上的宽度。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件间隔件的高度小于或等于存储接触件的高度。
6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：信息存储部分，设置在存储垫上并且与存储垫接触。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件的上表面在与第一方向正交的第二方向上的宽度小于或等于位线的底表面在第二方向上的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，从位线接触件的底表面到位线接触件的上表面的高度等于从位线接触件的底表面到位线接触件间隔件的上表面的高度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线和位线接触件中的每个包括宽度中心线，并且
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，位线接触件间隔件为单层，并且
11.一种...
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