本发明专利技术公开了一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，包括以下步骤：步骤1、将铝合金粗加工产，判断腔体表面是否需要保留加工纹理，若是，则进入步骤8，若否，则进入步骤2；步骤2、使用砂纸对腔体表面进行第一次打；步骤3、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；步骤4、对腔体表面进行第二次打磨；步骤5、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；步骤6、对腔体表面进行第三次打磨；步骤7、清洗腔体表；步骤8、对腔体表面进行抛光；步骤9、对腔体表面进一步抛光；步骤10、清水冲洗腔体表面；步骤11、采用弱碱性清洗剂清洗腔体表。本发明专利技术的腔体表面处理工艺能够将腔体表面打磨至镜面，且同时选择是否保留加工纹理，以满足半导体制造的要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，真空铝腔体广泛应用于各种工艺步骤中，如物理气相沉积（pvd）、化学气相沉积（cvd）、刻蚀等。
2、对于日益发展的半导体行业设备的外观也将会是一项重要的特征项目，是客户衡量产品质量的重要标准。其中腔体的镜面效果以及特殊情况保留加工纹理且是镜面效果的外观的实现尤为困难。
3、有些企业要求腔体表面保留加工纹理，同时还要求要有镜面效果。有的企业要求腔体表面不保留加工纹理，同时要求要有很好的镜面效果，因为有的真空铝腔体对光滑度要求较高，这样半导体制造时，腔体表面形成的氧化膜才会更加致密均匀，从而制造的半导体精度更高，性能也更好，现有的真空铝腔体表面处理后粗糙度都大于0.1微米，达不到半导体制造的要求。因此，亟需一种新的技术方案解决上述至少一个技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术目的是提供一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，能够将腔体表面打磨至镜面，且同时选择是否保留加工纹理，以满足半导体制造的要求。
2、为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本专利技术所采用的技术方案是：一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，包括以下步骤：
3、步骤1、将铝合金粗加工产品，精加工为成品，判断腔体表面是否需要保留加工纹理，若是，则进入步骤8，若否，则进入步骤2；
4、步骤2、使用砂纸对腔体表面进行第一次打磨，去除加工纹理；
>5、步骤3、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；6、步骤4、使用百洁布对腔体表面进行第二次打磨；
7、步骤5、清洗打磨残留在腔体表面的粉尘；
8、步骤6、采用金刚石研磨膏对腔体表面进行第三次打磨；
9、步骤7、清洗腔体表面的残留金刚石研磨膏；
10、步骤8、采用抛光增亮剂，对腔体表面进行第四次打磨抛光；
11、步骤9、使用复合光亮剂对腔体表面进一步抛光；
12、步骤10、清水冲洗腔体表面；
13、步骤11、采用弱碱性清洗剂清洗腔体表面，烘干后表面处理工艺结束。
14、作为优选的技术方案，所述步骤2中依序使用400、800、1000目砂纸对腔体表面进行第一次打磨。
15、作为优选的技术方案，所述步骤4中的百洁布采用3m scotchbrite 16001#7447。
16、作为优选的技术方案，所述步骤6中的金刚石研磨膏粒径不大于3.5微米，并使用羊毛毡进行第三次打磨。
17、作为优选的技术方案，所述步骤8中的抛光增亮剂按重量百分比计，包括15%-30%的脂肪烃，5%-15%芳香烃，5%-10%肥皂，3%-5%的阴离子表面活性，其余为水。
18、作为优选的技术方案，所述步骤9中的复合光亮剂采用研磨液、清洗剂和光亮剂复配而成，研磨液与水重量比是1：（10-50），清洗剂与水重量比是1：（10-50），光亮剂与水重量比是1：（10-50），研磨液、光亮剂和清洗剂重量比为1：1：1。
19、作为优选的技术方案，所述步骤8以及步骤9中采用纯羊毛抛光盘进行抛光。
20、作为优选的技术方案，所述步骤9完成之在10分钟内进行步骤10的清水冲洗。
21、作为优选的技术方案，所述步骤2、步骤4和步骤6中均采用抛光机进行抛光，抛光机转速为10000转/分钟。
22、作为优选的技术方案，若不保留加工纹理，所述表面处理工艺处理后的腔体表面粗糙度不大于0.03微米。
23、本专利技术的有益效果是：
24、在腔体表面可保留加工纹理或不保留加工纹理，若保留加工纹理，采用抛光增亮剂和复合光亮剂来对腔体表面进行抛光，使得腔体表面在保持加工纹理的同时具有镜面效果，若腔体表面不保留加工纹理，多次打磨腔体表面，然后用抛光增亮剂和复合光亮剂来对腔体表面进行抛光，表面粗糙度低，满足半导体的制造要求。
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【技术保护点】
1.一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤2中依序使用400、800、1000目砂纸对腔体表面进行第一次打磨。
3.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤4中的百洁布采用3M Scotchbrite 16001#7447。
4.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤6中的金刚石研磨膏粒径不大于3.5微米，并使用羊毛毡进行第三次打磨。
5.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤8中的抛光增亮剂按重量百分比计，包括15％-30％的脂肪烃，5％-15％芳香烃，5％-10％肥皂，3％-5％的阴离子表面活性，其余为水。
6.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤9中的复合光亮剂采用研磨液、清洗剂和光亮剂复配而成，研磨液与水重量比是1：(10-50)，清洗剂与水重量比是1：(10-50)，光亮剂与水重量比是1：(10-50)，研磨液、光亮剂和清洗剂重量比为1：1：1。
7.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤8以及步骤9中采用纯羊毛抛光盘进行抛光。
8.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤9完成之在10分钟内进行步骤10的清水冲洗。
9.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤2、步骤4和步骤6中均采用抛光机进行抛光，抛光机转速为10000转/分钟。
10.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述表面处理工艺处理后的腔体表面粗糙度不大于0.03微米。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤2中依序使用400、800、1000目砂纸对腔体表面进行第一次打磨。
3.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤4中的百洁布采用3m scotchbrite 16001#7447。
4.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤6中的金刚石研磨膏粒径不大于3.5微米，并使用羊毛毡进行第三次打磨。
5.根据权利要求1的一种半导体设备真空铝腔体表面处理工艺，其特征在于，所述步骤8中的抛光增亮剂按重量百分比计，包括15％-30％的脂肪烃，5％-15％芳香烃，5％-10％肥皂，3％-5％的阴离子表面活性，其余为水。
6.根据权利要求1的一种半导体设备真空...
【专利技术属性】
技术研发人员：林枫，游利，陆浩，张晋锡，
申请(专利权)人：无锡先研新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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