【技术实现步骤摘要】
多种实例实施方式涉及包括可变电阻材料的存储器件和/或包括所述存储器件的电子设备。
技术介绍
1、非易失性存储器件包括多个存储单元，所述多个存储单元即使在电力被阻断或停止时也保持数据，且因此，能够在电力被供应时再次使用存储的数据。非易失性存储器件可用在如下的一种或多种中：手机、数码相机、便携式数字助理(pda)、移动计算机设备、固定计算机设备、和其它设备。
2、近来，已经进行了对于在用于形成下一代神经形态计算平台或神经网络的芯片中使用三维(或竖直)nand(或vnand)结构的研究。
技术实现思路
1、提供包括可包含许多氧空位的电阻变化层的可变电阻存储器件和/或包括所述可变电阻存储器件的电子设备。
2、额外的方面将部分地在随后的描述中阐明，且部分地将由所述描述明晰，或者可通过多方面地描述的实例实施方式的实践获悉。
3、根据多种实例实施方式，可变电阻存储器件包括：电阻变化层，其包括金属氧化物，所述金属氧化物包括第一金属元素和任选地第二金属元素，所述金属氧化物具有大于或等于约9％的缺氧率(氧缺乏比)；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层(栅绝缘层)；和在所述栅极绝缘层上并且彼此间隔开的多个栅电极。
4、相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第一金属元素的含量可大于或等于约50原子％。
5、相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第二金属元素的含量可小于或等于约35原子％。
6、所述第一金属元素可包括t
7、所述第二金属元素可包括hf、al、nb、la、zr、sc、w、v、和mo的至少一种。
8、所述可变电阻变化层可进一步包括si。
9、所述半导体层可配置成接收施加至其的具有小于或等于约4v的绝对值的写入电压。
10、所述可变电阻存储器件可进一步包括在所述半导体层和所述电阻变化层之间的氧化物层。
11、所述氧化物层的厚度可小于所述电阻变化层的厚度。
12、所述可变电阻变化层可包括在远离所述半导体层的方向上顺序地布置的第一电阻变化层和第二电阻变化层，且所述第一电阻变化层的缺氧率可大于所述第二电阻变化层的缺氧率。
13、所述多个栅电极的至少三个可周期性地布置，并且所述多个栅电极的所述至少三个的节距可小于或等于约20nm。
14、所述可变电阻存储器件可进一步包括柱，其中所述电阻变化层、半导体层、和栅极绝缘层可以壳形状顺序地围绕所述柱，且所述多个栅电极和绝缘元件可以壳形状围绕所述栅极绝缘层。
15、所述柱可包括绝缘材料。
16、所述柱可包括导电材料。
17、所述柱可配置成接收大于或等于施加至所述半导体层的电压的电压。
18、根据多种实例实施方式，可变电阻存储器件包括：电阻变化层，其包括具有大于或等于约9％的缺氧率且包含硅的金属氧化物；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。
19、所述可变电阻变化层可包括ta、ti、sn、cr、和mn的至少一种。
20、相对于所述电阻变化层的金属与硅之和，硅的含量可小于或等于约35原子％。
21、根据多种实例实施方式，可变电阻存储器件包括：电阻变化层，且包括具有大于或等于约9％的缺氧率的第一金属氧化物和具有小于9％的缺氧率的第二金属氧化物，其中所述第一金属氧化物的含量大于所述第二金属氧化物的含量；布置在所述电阻变化层上的半导体层；布置在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上布置成彼此隔开的多个栅电极。
22、相对于所述电阻变化层中包括的全部金属，所述第二金属氧化物中包括的金属的含量可小于或等于约35原子％。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.可变电阻存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第一金属元素的含量大于或等于约50原子％。
3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第二金属元素的含量小于或等于约35原子％。
4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第一金属元素包括Ta、Ti、Sn、Cr、和Mn的至少一种。
5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第二金属元素包括Hf、Al、Nb、La、Zr、Sc、W、V、和Mo的至少一种。
6.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述电阻变化层进一步包括Si。
7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述半导体层配置成接收施加至其的具有小于或等于约4V的绝对值的写入电压。
8.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，进一步包括：
9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中所述氧化物层的厚度小于所述电阻变化层的厚度。
10.如权利要求1所述的可变电阻存
11.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中
12.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，进一步包括：
13.如权利要求12所述的可变电阻存储器件，其中所述柱包括绝缘材料。
14.如权利要求12所述的可变电阻存储器件，其中所述柱包括导电材料。
15.如权利要求14所述的可变电阻存储器件，其中所述柱配置成接收大于或等于施加至所述半导体层的电压的电压。
16.可变电阻存储器件，包括：
17.如权利要求16所述的可变电阻存储器件，其中所述电阻变化层包括Ta、Ti、Sn、Cr、和Mn的至少一种。
18.如权利要求16所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层的金属与硅之和，硅的含量小于或等于约35原子％。
19.可变电阻存储器件，包括：
20.如权利要求19所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层中包括的全部金属，所述第二金属氧化物中包括的金属的含量小于或等于约35原子％。
...【技术特征摘要】
1.可变电阻存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第一金属元素的含量大于或等于约50原子％。
3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中相对于所述电阻变化层的全部金属，所述第二金属元素的含量小于或等于约35原子％。
4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第一金属元素包括ta、ti、sn、cr、和mn的至少一种。
5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第二金属元素包括hf、al、nb、la、zr、sc、w、v、和mo的至少一种。
6.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述电阻变化层进一步包括si。
7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述半导体层配置成接收施加至其的具有小于或等于约4v的绝对值的写入电压。
8.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，进一步包括：
9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中所述氧化物层的厚度小于所述电阻变化层的厚度。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金世润，姜周宪，金宣浩，金裕珉，朴可篮，宋伣在，安东浩，杨承烈，禹明勋，李镇宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。