接合结构制造技术

本申请的实施例公开了一种接合结构，该接合结构包括：第一管芯焊盘；第二管芯焊盘，与第一管芯焊盘位于同层，且相邻于第一管芯焊盘；第一介电层，包围第一管芯焊盘与第二管芯焊盘，并且第一介电层的顶表面暴露第一管芯焊盘的顶表面和第二管芯焊盘的顶表面；中间层，位于第一管芯焊盘和第二管芯焊盘上，中间层包括直接电连接第一管芯焊盘的顶表面的第一接合焊盘与直接电连接第二管芯焊盘的顶表面的第二接合焊盘，相对于第一介电层的底表面，第一管芯焊盘的顶表面和第二管芯焊盘的顶表面的高度不相同，第一接合焊盘的顶表面与第二接合焊盘的顶表面的高度相同。本申请的接合结构至少使得具有高度不同的管芯焊盘的接合结构，具有高度一致的接合表面。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种接合结构。

技术介绍

1、封装发展区域会往细线宽线路发展，而在3d堆叠当中希望也把节距缩小来符合更多的io连接与更短的连接路径。目前所发展的混合接合(hybrid bonding interconnect，hbi)是连接其它管芯时的节距缩小的技术之一。

2、参见图1-图5，现有技术中的接合结构10、20、30、40和50(例如晶圆1的接合结构10、20、30、40和50)包括位于同层并且相邻的第一管芯焊盘101和第二管芯焊盘102，第一管芯焊盘101和第二管芯焊盘102具有不同的高度。应当理解，具有不同的高度为，相对于同一水平面，第一管芯焊盘101的顶表面1011的高度不同于第二管芯焊盘102的顶表面1021的高度。具有高度不同的第一管芯焊盘101和第二管芯焊盘102的接合结构10、20、30、40和50的接合表面高度不一致，不利于之后的混合接合制程。

3、图6是晶圆的示意图。参见图6，将距离晶圆1的圆心小于50mm范围内的区域称为晶圆1的中心，将距离晶圆1的圆心在50mm至100mm范围内的区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，其中，在穿过所述第一管芯焊盘的中心轴线和所述第二管芯焊盘的中心轴线的截面中，所述第一管芯焊盘的顶表面的宽度与所述第二管芯焊盘的顶表面的宽度不相同，所述第一接合焊盘的顶表面的宽度与所述第二接合焊盘的顶表面的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘之间的节距不同于所述第一管芯焊盘与所述第二管芯焊盘之间的节距。

4.根据权利要求3所述的接合结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种接合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，其中，在穿过所述第一管芯焊盘的中心轴线和所述第二管芯焊盘的中心轴线的截面中，所述第一管芯焊盘的顶表面的宽度与所述第二管芯焊盘的顶表面的宽度不相同，所述第一接合焊盘的顶表面的宽度与所述第二接合焊盘的顶表面的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘之间的节距不同于所述第一管芯焊盘与所述第二管芯焊盘之间的节距。

4.根据权利要求3所述的接合结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述中间层还包括位于所述第一介电层上方的第二介电层，所述第二介电层包围所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘并且暴露所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄劭萱，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：