一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体制备技术领域，具体涉及一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法。本发明专利技术提供的制备方法，采用原子层沉积方法在刻蚀后的晶圆表面交替沉积氧化铝外延层和氧化钛外延层后进行抛光，晶圆上的刻蚀孔被氧化铝外延层和氧化钛外延层所填充，含刻蚀孔的晶圆表面相对平整均匀，且非刻蚀孔区域无交替层叠的氧化铝外延层和氧化钛外延层，利于后续控制TiO<subgt;2</subgt;薄膜的厚度；然后再采用原子层沉积方法沉积氧化铝外延层和氧化钛外延层，形成的膜层表面平整度均匀稳定，后续无需再进行抛光处理；原子层沉积可通过每次原子层沉积吹扫的次数精准控制氧化铝外延层和氧化钛外延层的厚度，本发明专利技术可以精准控制TiO<subgt;2</subgt;薄膜的厚度，而且产品透过率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制备，具体涉及一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、目前晶圆表面二氧化钛薄膜生产工艺包括：先在晶圆表面进行刻蚀，然后在刻蚀后的晶圆上表面进行ald(原子层沉积)镀膜，再进行cmp(化学机械)抛光。刻蚀的目的是为了在晶圆表面形成规则排列的刻蚀孔，根据入射光折射率匹配要求，再由ald工艺在刻蚀孔内填充tio2薄膜，但填充的薄膜正表面继承了刻蚀孔的形貌，会对产品的光学性能造成消极的影响，因此需要使用抛光工艺对产品表面作平坦化处理。

2、在化学机械抛光过程中，去除速率受到抛光垫寿命、抛光液浓度等外界因素的影响，膜厚的判断只能依赖于抛光结束后的椭偏仪测量，无法准确控制成品tio2薄膜的厚度。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法。本专利技术提供的晶圆表面二氧化钛薄膜的制备方法，可以精准控制tio2薄膜的厚度。

2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：

3、本专利技术提供了一种晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆表面二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝外延层和第一氧化钛外延层的单层厚度独立地为1～50nm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝外延层和第一氧化钛外延层的层数独立地为2～200层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化铝外延层和第二氧化钛外延层的单层厚度独立地为1～50nm。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化铝外延层和第二氧化钛外延层的层数独立地为2～200层。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆表面二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝外延层和第一氧化钛外延层的单层厚度独立地为1～50nm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝外延层和第一氧化钛外延层的层数独立地为2～200层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化铝外延层和第二氧化钛外延层的单层厚度独立地为1～50nm。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化铝外延层和第二氧化钛外延层的层数独立地为2～200层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：平奕晨，张贺，屈飞，韩立，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：