【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例大体上涉及电子系统，且更确切地说，涉及反熔丝及其形成。
技术介绍
1、存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态ram(sram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可在不被供电时保持所存储数据，并且包含快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁阻式随机存取存储器(mram)或三维(3d)xpointtm存储器等等。可通过增强例如电子装置的反熔丝的电子装置的组件的设计和制造而改进存储器装置和其它电子装置的性质。
技术实现思路
1、在一个方面，本公开涉及一种反熔丝，其包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；栅极；第一鳍片，...
【技术保护点】
1.一种反熔丝，其包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述反熔丝包含第三鳍片，所述第三鳍片接触所述第一源极/漏极区且从所述第一源极/漏极区延伸到所述栅极下方的第三位置，所述第三鳍片在所述第三位置处结束，所述第三鳍片通过第三电介质与所述栅极分离，所述第三鳍片平行于所述第一鳍片。
3.根据权利要求2所述的反熔丝，其中所述反熔丝包含第四鳍片，所述第四鳍片接触所述第二源极/漏极区且从所述第二源极/漏极区延伸到所述栅极下方的第四位置，所述第四鳍片在所述第四位置处结束，所述第四鳍片通过第四电介质与所述栅极分离，所述第四鳍片平行于所述第二鳍片。>
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种反熔丝，其包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述反熔丝包含第三鳍片，所述第三鳍片接触所述第一源极/漏极区且从所述第一源极/漏极区延伸到所述栅极下方的第三位置，所述第三鳍片在所述第三位置处结束，所述第三鳍片通过第三电介质与所述栅极分离，所述第三鳍片平行于所述第一鳍片。
3.根据权利要求2所述的反熔丝，其中所述反熔丝包含第四鳍片，所述第四鳍片接触所述第二源极/漏极区且从所述第二源极/漏极区延伸到所述栅极下方的第四位置，所述第四鳍片在所述第四位置处结束，所述第四鳍片通过第四电介质与所述栅极分离，所述第四鳍片平行于所述第二鳍片。
4.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述反熔丝包含：
5.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极彼此在所述栅极的相对侧上。
6.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述第一电介质及所述第二电介质包含共同组合物。
7.根据权利要求6所述的反熔丝，其中所述共同组合物包含氧化硅、氮氧化硅、氧化锆、氧化铪、氧化铝或其组合中的一或多者。
8.根据权利要求1所述的反熔丝，其中所述栅极为金属栅极。
9.根据权利要求8所述的反熔丝，其中所述栅极包含氮化钛、氮化钽、钨、钼、钌、多晶硅或其组合中的一或多者。
10.一种存储器装置，其包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述反熔丝包含：
12.根据权利要求11所...
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