【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置，特别地涉及一种包括二极管的半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置(例如，包括有源开关的转换器电路)可包括用于改进其特性的二极管。正在进行尝试以改进这种有源开关与二极管的组合。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进的半导体装置。根据实施例，以上目的由根据独立权利要求的要求保护的主题实现。在从属权利要求中定义另外的发展。
2、根据实施例，一种半导体装置包括：晶体管，被形成在第一半导体层堆中；二极管，被形成在第二半导体层堆中，二极管包括阳极金属层；和载体。晶体管和二极管被安装到载体。晶体管的端子按照电气方式连接到载体，并且阳极金属层与载体直接接触。载体可以是金属性载体。载体可包括金属层。
3、例如，第二半导体层堆可包括不形成第一半导体层堆的一部分的半导体层。更具体地，晶体管和二极管可由彼此分离的半导体层形成。例如，晶体管和二极管不共享公共半导体层。
4、根据实施例，晶体管的端子可与(金属性)载体直接接触。
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【技术保护点】
1.一种半导体装置(10)，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二半导体层堆包括不形成所述第一半导体层堆的一部分的半导体层。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述晶体管的所述端子与所述载体直接接触。
4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述晶体管是MOSFET，并且所述晶体管的所述端子是漏极端子。
5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述晶体管是IGBT，并且所述晶体管的所述端子是集电极端子。
6.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述二极管包括阳...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(10)，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二半导体层堆包括不形成所述第一半导体层堆的一部分的半导体层。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述晶体管的所述端子与所述载体直接接触。
4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述晶体管是mosfet，并且所述晶体管的所述端子是漏极端子。
5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述晶体管是igbt，并且所述晶体管的所述端子是集电极端子。
6.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述二极管包括阳极区和阴极区之间的低掺杂漂移区，所述漂移区的导电型不同于所述晶体管的漂移带的导电型。
7.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述二极管包括p掺杂基底层和形成在所述p掺杂基底层上方的n掺杂阴极层，还包括所述p掺杂基底层中的p掺杂漂移区。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述n掺杂阴极层在所述第二半导体层堆的第一主表面被布置在所述二极管的中心部分中，并且所述二极管还包括沿水平方向包围所述中心部分的边缘终止结构。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述边缘终止结构包括n掺杂环形部分，所述n掺杂环形部分被布置在所述第二半导体层堆的所述第一主表面并且与所述n掺杂阴极层隔离。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述边缘终止结构包括n掺杂终止部分，所述n掺杂终止部分沿背对所述中心部分的方向具有减小的掺杂浓度并且被布置在所述第二半导体层堆的所述第一主表面。
11.如权利要求1至6中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·拉古纳森，A·莫德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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