【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光二极管(LED)的电极制作方法，属于半导体器件制造
技术介绍
LED具有发光效率高、耗电量小、寿命长、发热量低、体积小、环保节能等诸多优点， 因而具有广泛的应用市场，如汽车、背光源、交通灯、大屏幕显示、军事等领域。随着半导体技术的高速发展，内量子效率达到90%以上，而外量子效率受到诸多 因素的影响提高并不显著，例如芯片结构、电极形状等直接影响着LED光提取效率。对于普 通结构的LED，其结构自上至下依次包括上电极、欧姆接触层、电流扩展层、上限制层、有 源区、下限制层、缓冲层、衬底和下电极。上电极的制作是在欧姆接触层上蒸镀金属电极层， 后光刻电极图形腐蚀形成上电极，最后通过合金形成欧姆接触。最初LED采用的是传统圆 形电极，圆形电极既用来做打线的焊垫又用来作为电流扩展，当电压加到电极上时，电流主 要集中在电极下方的部分区域，而电极到有源区的距离是有限的，当电流还没来得及横向 扩展时就已到达有源区，即发光区域主要集中在电极下方的部分有源区，造成电场过度集 中、LED发光不均勻、热稳定性差、寿命缩短、光提取效率较低等问题，因此改...
【技术保护点】
一种有效利用电流的ＬＥＤ电极结构，其特征是：是在ＬＥＤ电极的下方设置有部分非欧姆接触区，非欧姆接触区的面积为所要制作电极的第一电极面积的１０％－－１５０％，当只有第一电极时去除的那部分欧姆接触层的面积为所要制作电极面积的１０％－－７０％。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张秋霞，徐现刚，夏伟，苏建，陈康，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]
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