半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供半导体发光元件，能实现提高光取出效率。该半导体发光元件（２０）具备ＩＩＩＡ－ＶＡ族化合物半导体层（２１）的第二主表面侧形成金属反射膜（１０），半导体层（２１）与支撑衬底（１１）隔着金属反射膜（１０）被接合，在半导体层（２１）第一主表面上形成表面电极（１３），金属反射膜（１０）在表面电极（１３）的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部（９），表面电极（１３）具有表面侧接触部以及透明介电体反射部，半导体发光元件（２０）的一边为３２０μｍ以下，表面电极（１３）由多边形或圆形形成，表面电极（１３）的外周长度为２３５μｍ～７００μｍ，欧姆接触接合部配置于发光元件的外周部侧，欧姆接触接合部（９）以包围表面电极（１３）、以从表面电极（１３）的外缘部的各位置至最近的欧姆接触接合部（９）的距离相等的方式而配置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件，所述半导体发光元件的结构如下，即在具有发 光层的IIIA-VA族化合物半导体层与支撑衬底之间夹持有欧姆接触接合部以及金属反射 膜，特别涉及一种实现了提高光取出效率的半导体发光元件。
技术介绍
历来，作为半导体发光元件的发光二极管(LED :Light Emitting Diode)，近年来 由于可以通过MOVPE法(有机金属气相生长法)生长GaN系或AlGaInP系的高品质晶体， 进而能够制备蓝色、绿色、橙色、黄色、红色的高亮度LED。而且伴随着LED的高亮度化，其用 途在汽车的刹车灯或液晶显示器的背灯上得到推广，对其需求在逐年增加。现在，由于通过MOVPE法生长高品质晶体已变为可能，发光元件的内部效率渐渐 接近理论值的极限值。但是，从发光元件的光取出效率还依旧较低，因此提高光取出效率变 得重要。例如，高亮度红色LED，由AlGaInP系材料形成，其发光部为双异质结构，所述双异 质结构在导电性GaAs衬底上具有由晶格匹配组成的AlGaInP系材料形成的η型AlGaInP 层、ρ型AlGaInP层以及上述两者之间所夹持的由AlGaInP或GaInP所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，具备具有发光层的ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层，在所述ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层的第一主表面侧形成光取出面，在第二主表面侧形成金属反射膜，将来自所述发光层的光反射至所述光取出面侧，所述ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层与支撑衬底隔着所述金属反射膜而被接合，所述ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层的第一主表面上具有表面电极，所述金属反射膜的上述ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层侧的面的一部分上在所述表面电极的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部，其特征在于，在所述表面电极的所述ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层侧，形成有在ⅢＡ－ⅤＡ族化合物半导体层上形成的表面侧接触部以及透明介电体反射部，所述半导体发光元件为边长...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚和幸，渡边优洋，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP