【技术实现步骤摘要】
本公开涉及红外领域，更具体地涉及一种硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法。
技术介绍
1、硫系玻璃作为红外透镜材料在红外成像系统中广泛应用。随着红外技术应用越来越广泛，对红外镀膜要求越来越高，由此，需要对硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系进行进一步改进。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其能满足1064nm以及8-12μm红外双波段的射率要求。
2、由此，一种硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法包括步骤：
3、s1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，硫系玻璃基底为vig04基底，陪镀片的厚度为0.9-1.5mm；
4、s2，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为130℃；
5、s3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1.5×10-3pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源的阳极电压为220v、阳极电流为1.0-2.5a、发射极的电流为1.3-1.5a；
6、s4，维持前述真空度，在镜片的第一面蒸镀第一yf3膜层，第一yf3膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第一yf3膜层的膜厚为70nm±3nm，离子源辅助蒸镀；
7、s5，在镀制的第一yf3膜层上蒸镀第一znse膜层，第一znse膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第一znse
8、s6，在镀制的第一znse膜层上蒸镀第二yf3膜层，第二yf3膜层沉积的速率为0.8nm/s，控制第二yf3膜层的膜厚为80nm±3nm，离子源辅助蒸镀；
9、s7，在镀制的第二yf3膜层上蒸镀第二znse膜层，第二znse膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第二znse膜层的膜厚为90nm±3nm，离子源辅助蒸镀；
10、s8，在镀制的第二znse膜层上蒸镀第三yf3膜层，第三yf3膜层沉积的速率为0.8nm/s，控制第三yf3膜层的膜厚为83nm±3nm，离子源辅助蒸镀；
11、s9，在镀制的第三yf3膜层上蒸镀第三znse膜层，第三znse膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第三znse膜层的膜厚为100nm±4nm，离子源辅助蒸镀；
12、s10，在镀制的第三znse膜层上蒸镀第四yf3膜层，第四yf3膜层沉积的速率为0.8nm/s，控制第四yf3膜层的膜厚为760nm±5nm，离子源辅助蒸镀；
13、s11，在镀制的第四yf3膜层上蒸镀第四znse膜层，第四znse膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第四znse膜层的膜厚为100nm±4nm，离子源辅助蒸镀；
14、s12，在镀制的第四znse膜层上蒸镀第五yf3膜层，第五yf3膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第五yf3膜层的膜厚为126nm±4nm，离子源辅助蒸镀；
15、s13，在镀制的第五yf3膜层上蒸镀laf3膜层，laf3膜层的沉积速率为0.6nm/s，控制laf3膜层的膜厚为40nm±2nm，离子源辅助蒸镀；
16、s14，蒸镀laf3膜层镀制完成后，待真空室冷却至90℃以下将工装夹具连同陪镀片和产品取出；
17、可选的s15，在另一真空镀膜机中，在镀制的laf3膜层上蒸镀af膜层，不使用离子源辅助蒸镀；
18、s16，重复步骤s1至步骤s15，在镜片的相反的第二面依次蒸镀第一yf3膜层、第一znse膜层、第二yf3膜层、第二znse膜层、第三yf3膜层、第三znse膜层、第四yf3膜层、第四znse膜层、第五yf3膜层、laf3膜层、可选的af膜层。
19、本公开的有益效果如下：在本公开的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系中，通过在作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的两面均镀制70nm±3nm膜厚的第一yf3膜层、91nm±3nm膜厚的第一znse膜层、80nm±3nm膜厚的第二yf3膜层、90nm±3nm膜厚的第二znse膜层、83nm±3nm膜厚的第三yf3膜层、100nm±4nm膜厚的第三znse膜层、760nm±5nm膜厚的第四yf3膜层、100nm±4nm膜厚的第四znse膜层、126nm±4nm膜厚的五yf3膜层、40nm±2nm膜厚的laf3膜层以及可选的af膜层，各面上的十层膜层(若af膜层选用，则为十一层膜层)将作为产品的增透膜膜系，基于陪镀片的1064nm波段(近红外波段)和8-12μm(波段远红外波段的测试，在步骤s15蒸镀af膜层未执行时，1064nm波段的透过率为97.42％，8-12μm波段的透过率为95.58％；在步骤s15蒸镀af膜层执行时，1064nm波段的透过率为96.27％，8-12μm波段的透过率为95.12％。换句话说，硫系玻璃基底连同两面上的增透膜膜系能满足双波段透射率要求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：梁献波，尹士平，刘克武，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。