【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，更具体地涉及一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法。
技术介绍
1、牺牲层工艺是通过腐蚀或刻蚀牺牲层来制造悬空的梁、膜或空腔结构的技术，广泛应用于mems器件与其读出电路的单片集成。可以作为牺牲层的材料主要包括sin、sio2和聚酰亚胺。其中，聚酰亚胺材料(pi)由于可以室温成膜，制备工艺简单、成本低，且与常用结构材料有很好的选择比，常被选择作为与post-coms兼容的牺牲层材料。
2、聚酰亚胺薄膜工艺对整个mems器件结构与性能具有重要的影响，但是传统工艺形成的聚酰亚胺薄膜的膜厚均匀性差，且成本较高。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其能提高聚酰亚胺薄膜的膜厚均匀性。
2、本公开的另一目的在于提供一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其能降低形成聚酰亚胺薄膜的溶液的使用量。
3、由此，一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法包括步骤：s1，在基底上直接喷涂增粘剂溶液以使增粘剂溶液全部覆盖基底；s2，采用低温热板对基底连同增粘剂溶液烘烤，以去除增粘剂溶液的溶剂，从而使增粘剂溶液去除溶剂后在基底上形成增粘剂层；s3，在步骤s2结束后，采用冷板对基底连同增粘剂层进行降温；s4，在步骤s3结束后，在增粘剂层上喷涂聚酰亚胺溶液，以使聚酰亚胺溶液覆盖全部增粘剂层；s5，采用低温热板对基底连同增粘剂层和聚酰亚胺溶液进行一次低温烘烤；s6，在步骤s5结束后，再次采用低温热板对基底连同增粘剂层和聚酰
4、在本公开的改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法中，步骤s2的操作使得增粘剂溶液的溶剂被彻底去除，以避免残留的溶剂被步骤s4至步骤s8中的高粘度的聚酰亚胺溶液覆盖后不容易挥发掉，导致在步骤s8完全固化时产生气泡或鼓包，影响薄膜均匀性；步骤s5的操作以使聚酰亚胺溶液轻微固化以使聚酰亚胺溶液不胶状流动为宜，同时使得聚酰亚胺溶液的溶剂少量挥发；步骤s6的操作以使轻微固化的聚酰亚胺溶液达到暂时固化(但不完全固化)，同时使得聚酰亚胺溶液的大部分溶剂挥发；步骤s8是完全固化且使聚酰亚胺膜层所含的剩余溶剂完全挥发掉；因为聚酰亚胺溶液的高粘度，若采用直接一步高温烘烤(即取消步骤s5至步骤s7)，聚酰亚胺溶液中的溶剂高温下挥发时剧烈，会造成形成的聚酰亚胺膜层的表面粗糙小孔、表面不平整(即均匀性差)，进而影响后续的产品结构，而采用步骤s5至步骤s8，能够使得聚酰亚胺溶液的溶剂的挥发更为柔和地进行，进而使得形成的聚酰亚胺膜层(即聚酰亚胺薄膜)的表面平滑、表面平整、尺寸(即膜厚)均匀性好。
5、在一示例中，步骤s4包括子步骤：s41，在基底处于静止状态下，喷涂聚酰亚胺溶液且在喷涂聚酰亚胺溶液完成后喷涂聚酰亚胺溶液的喷头回吸规定量的聚酰亚胺溶液；s42，喷涂聚酰亚胺溶液后静置；s43，等静置的聚酰亚胺溶液停止流动后，使基底慢速旋转，以使聚酰亚胺溶液覆盖整个增粘剂层的表面；s44，在子步骤s43结束后，使基底高速旋转进行旋转甩胶。子步骤s41中的喷涂聚酰亚胺溶液的喷头回吸规定量的聚酰亚胺溶液通过胶泵操作，在提高薄膜均匀性的同时，有效减小聚酰亚胺溶液量，原理同样是聚酰亚胺溶液粘度高导致，在喷涂聚酰亚胺溶液动作结束时，喷头回吸达不到规定量，会造成少量聚酰亚胺在喷头处与已喷涂的聚酰亚胺溶液拉丝，难以拉断，影响薄膜均匀性，在喷头回吸达不到规定量的情况下，只能通过喷涂更大量的聚酰亚胺溶液来改善均匀性，这样就会使得聚酰亚胺溶液的使用量大为增加，在大规模量产的情况下，导致成本显著增加，而在步骤s41中是喷头回吸达到规定量，则使少量聚酰亚胺溶液在喷头处与已喷涂的聚酰亚胺溶液断开，从而避免拉丝出现，进而在同等膜厚和同等均匀性下可采用较少的聚酰亚胺溶液，从而在大规模量产的情况下，显著降低成本。也就是说，在本公开的改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法中，如测试过程所验证的，能降低形成聚酰亚胺薄膜的溶液的使用量，尤其是对于大规模量产，能够在获得同样膜厚的聚酰亚胺膜层和均匀性的情况下，能极大地降低聚酰亚胺薄膜的溶液的使用量，具有非常可观的成本-经济效益。
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1.一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺薄膜工艺的方法，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：温斐旻，闫丽荣，王岳，周红宇，李海涛，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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