半导体装置制造方法及图纸

技术编号：40430832 阅读：9 留言：0更新日期：2024-02-20 22:53

半导体装置具有：端子、信号基板、支承导体以及粘接层。所述端子包含具有导电性的筒状的支架和插入到所述支架的金属插针。所述信号基板包含布线层及绝缘基板。所述支承导体经由所述绝缘基板支承所述布线层。所述粘接层介于所述支承导体与所述信号基板之间。所述绝缘基板具有在所述信号基板的厚度方向上分离的主面及背面。所述布线层形成于所述主面，且固定有所述端子。所述支架与所述布线层接合。所述金属插针沿着所述厚度方向延伸。所述粘接层将所述信号基板与所述支承导体电绝缘。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、以往，已知具有mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)或igbt(insulated gate bipolar transistor)等电力用开关元件的半导体装置。这样的半导体装置搭载于从工业设备到家电、信息终端、汽车用设备的各种电子设备。在专利文献1中公开了以往的半导体装置(功率模块)。专利文献1所记载的功率模块具有：多个晶体管、主基板、信号基板以及信号端子。多个晶体管搭载于主基板。信号基板搭载于主基板。信号基板搭载有信号布线图案。信号布线图案包含例如栅极用信号布线图案和源极感测用信号布线图案。信号端子与信号基板的信号布线图案接合。信号端子包含与栅极用信号布线图案接合的栅极端子、以及与源极感测用信号布线图案接合的源极感测端子。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015-126342号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、在专利文献1那样的功率模块中，若信号基板以相对于主基板倾斜的姿势配置，则可能产生信号端子向信号基板的接合不良以及信号端子的位置偏差等。因此，这样的信号基板相对于主基板的倾斜会导致该功率模块的可靠性降低。

3、本公开是鉴于上述情况而完成的，其一个课题在于提供实现了可靠性提高的半导体装置。

4、用于解决课题的手段

5、由本公开提供的半导体装置

6、专利技术效果

7、根据本公开的半导体装置，能够提高该半导体装置的可靠性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

15.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其中，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，

18.根据权利要求13～17中任一项所述的半导体装置，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】