一种表面等离激元增强型LED及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种表面等离激元增强型LED及其制备方法和应用。本发明专利技术的表面等离激元增强型LED的组成包括衬底、金属键合层、第一金属层、第二金属层、p型GaN层、电子阻挡层、多量子阱层、n型GaN层、绝缘层和N电极。本发明专利技术的表面等离激元增强型LED的制备方法包括以下步骤：先制备含金属键合层、第一金属层、第二金属层、p型GaN层、电子阻挡层、多量子阱层和n型GaN层的结构，再制备含金属键合层和衬底的结构，再将两种结构键合，再制备绝缘层和N电极。本发明专利技术的表面等离激元增强型LED具有载流子复合速率大、载流子寿命短、调制带宽较宽等优点，适合作为光源用于高速可见光通信。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种表面等离激元增强型led及其制备方法和应用。

技术介绍

1、发光二极管(led)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量进行发光，其被认为是可见光通信(vlc)系统的理想光源。然而，目前商用的led的调制带宽通常仅有几兆赫兹到十几赫兹，远不能满足高速可见光通信的要求。

2、因此，开发一种调制带宽更宽、适合用于高速可见光通信的led具有十分重要的意义。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种表面等离激元增强型led及其制备方法和应用。

2、本专利技术所采取的技术方案是：

3、一种表面等离激元增强型led，其组成包括衬底、金属键合层、第一金属层、第二金属层、p型gan层、电子阻挡层、多量子阱层、n型gan层、绝缘层和n电极；所述金属键合层与衬底贴合；所述金属键合层远离衬底的那一面设置有凹台和凸台，第一金属层填充在凹台中，第二金属层贴合在凸台的上表面；所述p型gan层、电子阻挡层、多量子阱层和n型gan层依次层叠设置；所述p型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面等离激元增强型LED，其特征在于，组成包括衬底、金属键合层、第一金属层、第二金属层、p型GaN层、电子阻挡层、多量子阱层、n型GaN层、绝缘层和N电极；所述金属键合层与衬底贴合；所述金属键合层远离衬底的那一面设置有凹台和凸台，第一金属层填充在凹台中，第二金属层贴合在凸台的上表面；所述p型GaN层、电子阻挡层、多量子阱层和n型GaN层依次层叠设置；所述p型GaN层远离电子阻挡层的那一面设置有凹台和凸台，且与由金属键合层、第一金属层和第二金属层构成的结构嵌合；所述绝缘层覆盖在由p型GaN层、电子阻挡层、多量子阱层和n型GaN层构成的结构的表面，且与金属键合层接触；所述N电极贯穿绝...

【技术特征摘要】

1.一种表面等离激元增强型led，其特征在于，组成包括衬底、金属键合层、第一金属层、第二金属层、p型gan层、电子阻挡层、多量子阱层、n型gan层、绝缘层和n电极；所述金属键合层与衬底贴合；所述金属键合层远离衬底的那一面设置有凹台和凸台，第一金属层填充在凹台中，第二金属层贴合在凸台的上表面；所述p型gan层、电子阻挡层、多量子阱层和n型gan层依次层叠设置；所述p型gan层远离电子阻挡层的那一面设置有凹台和凸台，且与由金属键合层、第一金属层和第二金属层构成的结构嵌合；所述绝缘层覆盖在由p型gan层、电子阻挡层、多量子阱层和n型gan层构成的结构的表面，且与金属键合层接触；所述n电极贯穿绝缘层，且与n型gan层接触；所述第一金属层为ag层、al层、ag纳米颗粒层、ag纳米柱层、ag纳米颗粒-ag纳米柱复合层中的一种；所述第二金属层的组成包括ag纳米颗粒、ag纳米柱中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型led，其特征在于：所述金属键合层的组成成分为ni、au、sn、ti中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型led，其特征在于：所述电子阻挡层为algan层、inalgan层中的一种；所述多量子阱层为ingan/gan多量子阱层。

4.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型led，其特征在于：所述绝缘层为sio2层、si3n4...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，雷蕾，朱子赫，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：