【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种功率限制电路，特别是有关于一种用于功率元件的功率限制电路。
技术介绍
1、功率元件具有耐高压的特性，且常应用于电子装置的能量转换电路，例如，用于变频、整流、变压、或功率放大的电路。当功率元件的输入与输出端之间的跨压(例如，功率晶体管的漏-源极电压(vds))较大时，流经功率元件的负载电流会导致较大的功率。在高功率维持较长时间的情况下，会产生热能以引发高温。在长期使用下，高功率会导致功率元件损坏。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出一种用于功率元件的功率限制电路，其通过电流与电压的检测，以在功率元件的一输入-输出电压较高的情况下，降低流经功率元件的负载电流，借此限制其操作功率。
2、本专利技术另提出一种功率限制电路，用于控制功率元件操作时的一操作功率。功率限制电路包括检测电路以及控制电路。检测电路耦接功率元件。检测电路检测功率元件的输入端与输出端之间的跨压且产生与检测到的跨压相关联的至少一检测信号。控制电路耦接检测电路以及功率元件。控制电路根据至少一检测信号产生控制信号。控制信号用于使能或禁能功率元件，以控制功率元件的操作功率。
3、本专利技术的功率限制电路，当功率元件的输入端与输出端之间的跨压增加时，功率限制电路可通过缩短功率元件的使能或导通时间，使操作功率降低至一预设值。本案功率限制电路不影响耦接功率元件的过电流保护电路操作。当功率元件的输入端与输出端之间的跨压较低或者功率元件的操作功率未超过上述预设值的情况下，可由过电流保护
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种功率限制电路，其特征在于，用于控制一功率元件操作时的一操作功率，包括：
2.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于，该功率元件为一功率金属氧化物半导体晶体管，且该功率金属氧化物半导体晶体管的栅极接收该控制信号，该功率金属氧化物半导体晶体管的一第一漏极或第一源极为该功率元件的该输入端，且该功率金属氧化物半导体晶体管的另一第一漏极或第一源极为该功率元件的该输出端。
3.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于，该至少一检测信号包括一第一检测信号以及一第二检测信号，且该检测电路包括：
4.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于：
5.如权利要求4所述的功率限制电路，其特征在于，该第一比较电路包括：
6.如权利要求4所述的功率限制电路，其特征在于，该第二比较电路包括：
7.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于：
8.如权利要求7所述的功率限制电路，其特征在于，该第一比较电路包括：
9.如权利要求7所述的功率限制电路，其特征在于，该第二比较电路包括：
10.如
...【技术特征摘要】
1.一种功率限制电路，其特征在于，用于控制一功率元件操作时的一操作功率，包括：
2.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于，该功率元件为一功率金属氧化物半导体晶体管，且该功率金属氧化物半导体晶体管的栅极接收该控制信号，该功率金属氧化物半导体晶体管的一第一漏极或第一源极为该功率元件的该输入端，且该功率金属氧化物半导体晶体管的另一第一漏极或第一源极为该功率元件的该输出端。
3.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于，该至少一检测信号包括一第一检测信号以及一第二检测信号，且该检测电路包括：
4.如权利要求1所述的功率限制电路，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：林俊谷，洪瑞孝，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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