NOR型存储器件制造技术

本公开涉及NOR型存储器件。该NOR型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源/漏接触层被分别连接到两个位线/源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。本公开如上所述地提出了一种新型的竖直堆叠的NOR型存储器件结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单、制造工艺简单易行。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路领域，特别是涉及一种nor型存储器件。

技术介绍

1、目前闪存(flashmemory)分为nor型和nand型，其中前者将存储单元并联排列而后者将存储单元串联排列。由于存储单元电路结构的差别，相比于nand型存储器，较难提高nor型存储器中存储器件的集成密度。

2、由此，提出了许多新型设计来尽量提高nor型存储器中存储单元的集成密度。

技术实现思路

1、本公开要解决的一个技术问题是提供一种具有新型结构的nor型存储器件来提高其集成密度，并且制造工艺简单易行。

2、根据本公开的第一个方面，提供了一种nor型存储器件，包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源/漏接触层被分别连接到两个位线/源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。

3、可选地，沿竖直方向交替堆叠的源/漏接触层和隔离层分别包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NOR型存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的NOR型存储器件，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的NOR型存储器件，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的NOR型存储器件，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的NOR型存储器件，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种nor型存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的nor型存储器件，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的nor型存储器件，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的nor型存储器件，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的nor型存储器件，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：罗啸，冯骏，许毅胜，王林凯，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：

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