本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种电致发光器件及其制备方法，电致发光器件包括自下而上依次设置的基板、第一电极、功能层和第二电极，还包括至少覆盖功能层边缘的保护结构。本发明专利技术保护结构的设置，阻碍了外界的水氧、封装胶中的小分子挥发物入侵到器件的功能层，避免了功能层边缘失效的问题，从而提升电致发光器件的光学性能、电学性能以及使用寿命；而且保护结构的制备工艺简单，不会复杂化原本器件的制程，且结构设计巧妙，完全不会影响器件正常通电发光。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示，具体涉及一种电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
1、量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料，尺寸在1-10nm。由于量子尺寸效应和介电限域效应使它们具有独特的光致发光(pl)和电致发光(el)性能。与传统的有机荧光染料相比，量子点具有量子产率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度，发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优良的光学特性，在发光
具有广泛的应用前景。
2、量子点电致发光器件包括层叠设置的阳极、含量子点发光层的功能层和阴极，量子点发光层主要用于发射红光、绿光或蓝光，电致发光装置通过调节三种光色的亮度合成所需颜色的光。量子点发光层容易与水氧、小分子有机物反应而出现发光不均匀现象，例如，器件制作完成后，需要使用封装胶和封装盖板对器件发光区域进行封装保护，而目前使用的封装胶中含有部分易挥发有机物质，这些有机物质直接接触器件发光区域周边后，容易导致器件出现发光不均匀、发光层周边部亮度降低、发光区域狭小化、周边部漏电流增加、边缘膜缩等一系列边缘失效的技术问题，严重影响器件发光效率和寿命。
3、目前，为了克服上述问题，普遍做法是在功能层上做文章，比如增加发光层的阻隔水、氧的能力，或者在封装膜层中形成水氧的吸收结构。不管是哪种形式，对水氧的阻隔或吸收能力都是有限的，对提升器件的使用寿命有限。
4、鉴于此，有必要开发一种新的电致发光器件及其制备方法。
技术实现思路
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p>1、有鉴于现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的是提供一种电致发光器件及其制备方法，避免功能层边缘失效，提升电致发光器件的光学性能、电学性能以及使用寿命。2、根据本专利技术的第一方面，提供一种电致发光器件，包括自下而上依次设置的基板、第一电极、功能层和第二电极，还包括至少覆盖功能层边缘的保护结构。
3、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述保护结构为位于所述第二电极上方且覆盖所述第一电极与所述第二电极交叉区域的覆盖层。即，覆盖层可以完全覆盖住电致发光器件的整个表面，由于覆盖层在第二电极的上方，完全不会影响器件的正常通电发光。
4、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述覆盖层上还设置有面积小于其的保护层。使保护层的面积小于覆盖层，是为了防止作为保护层的al层接触到发光区域，而导致在器件通电情况下发生漏电。
5、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述保护层的厚度为10-100nm；
6、优选地，所述保护层的材料为al或铝合金。al层通过蒸镀法形成在覆盖层上，al层的设计，可以对覆盖层形成致密性的保护，更进一步提升覆盖层对功能层边缘的保护能力。
7、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述保护结构为位于所述第二电极下方、覆盖所述第一电极与第二电极交叉区域的周缘区域并延伸覆盖所述功能层边缘的覆盖层。即，交叉的区域为发光区域，在第一电极与第二电极交叉的周缘区域设置保护结构，结构设计巧妙，保护结构可覆盖功能层边缘，从而达到阻隔水氧、小分子挥发物等入侵功能层的目的，确保了发光区域的发光均匀性。该设置方式只需在器件旋涂完功能层后，在器件发光区与第一电极交汇的边缘处(不会覆盖发光区域)蒸镀保护材料，再蒸镀第二电极即可，工艺上操作性更强。
8、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述覆盖层的厚度为10-100nm；
9、优选地，所述覆盖层的材料包括高分子绝缘材料或者氟化物；
10、优选地，所述高分子绝缘材料包括有机硅、氮化硅、硫酸钡、环氧树脂、酚醛树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯亚胺、苯丙噁烃、聚苯醚、碳氢树脂、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种；
11、优选地，所述氟化物包括氟化锂或氟化钠。
12、作为上述的电致发光器件的一种优选方案，所述功能层包括量子点发光层；
13、优选地，所述功能层还包括设置于量子点发光层上的载流子传输层；
14、优选地，所述载流子传输层包括电子传输层或者空穴传输层。
15、根据本专利技术的第二方面，提供一种电致发光器件的制备方法，包括步骤：
16、s11、提供一基板；
17、s12、在所述基板上形成第一电极；
18、s13、在所述第一电极上形成功能层；
19、s14、在所述功能层上形成第二电极；
20、s15、在所述第二电极上方形成覆盖所述第一电极与所述第二电极交叉区域的覆盖层；
21、优选地，在所述覆盖层上再形成面积小于所述覆盖层的保护层，所述保护层的材料为al或铝合金，al层的面积需小于覆盖层的面积，防止作为保护层的al层接触到发光区域，而导致在器件通电情况下发生漏电。
22、该制备方法形成的器件结构为：包括自下而上依次设置的第一电极、功能层和第二电极，覆盖层位于所述第二电极上方且覆盖所述第一电极与所述第二电极交叉区域。
23、根据本专利技术的第三方面，提供另一种电致发光器件的制备方法，包括步骤：
24、s21、提供一基板；
25、s22、在所述基板上形成第一电极；
26、s23、在所述第一电极上形成功能层；
27、s24、在所述功能层边缘及其与所述第一电极交汇边缘处形成覆盖层；
28、s25、形成第二电极，所述第二电极覆盖所述功能层与所述覆盖层。
29、该制备方法形成的器件结构为：包括自下而上依次设置的第一电极、功能层和第二电极，覆盖层位于所述第二电极下方、覆盖所述第一电极与第二电极交叉区域的周缘区域并延伸覆盖所述功能层边缘。本方法中，第二电极最后蒸镀形成，工艺上更简单易操作。
30、作为上述的电致发光器件的制备方法的一种优选方案，所述覆盖层通过蒸镀法制备。
31、根据本专利技术的第四方面，提供一种发光装置，包括上述的电致发光器件或者由上述的制备方法制备而成的电致发光器件。发光装置如显示装置，显示装置包括手机、电脑、车载显示器、ar显示器、vr显示器、智能手表、显示屏、显示面板等装置或部件，部件如可以为qled器件等。
32、作为上述的发光装置的一种优选方案，还包括封装层，所述封装层覆盖所述电致发光器件。封装层由封装胶经uv固化形成，由于电致发光器件采用了覆盖层进行保护，封装较中的挥发物质无法入侵到器件的功能层，当然，覆盖层也同样起到了阻隔水氧的作用。
33、与现有技术相比，本专利技术至少具有如下优点：
34、1、覆盖层的设置，阻碍了外界的水氧、封装胶中的小分子挥发物入侵到器件的功能层，避免了功能层边缘失效的问题，从而提升电致发光器件的光学性能、电学性能以及使用寿命；
35、2、覆盖层的制备工艺简单，不会复杂化原本器件的制程，且结构设计巧妙，完全不会影响器件正常通电发光。...
【技术保护点】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板、第一电极、功能层和第二电极，还包括至少覆盖功能层边缘的保护结构。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护结构为位于所述第二电极上方且覆盖所述第一电极与所述第二电极交叉区域的覆盖层。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层上还设置有面积小于其的保护层。
4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为10-100nm；
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护结构为位于所述第二电极下方、覆盖所述第一电极与第二电极交叉区域的周缘区域并延伸覆盖所述功能层边缘的覆盖层。
6.根据权利要求2-5任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层的厚度为10-100nm；
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能层包括量子点发光层；
8.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
9.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
10.根据权利要求8或9所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述覆盖层通过蒸镀法制备。
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【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板、第一电极、功能层和第二电极，还包括至少覆盖功能层边缘的保护结构。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护结构为位于所述第二电极上方且覆盖所述第一电极与所述第二电极交叉区域的覆盖层。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层上还设置有面积小于其的保护层。
4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为10-100nm；
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：李敬群，张思源，王允军，张昕昕，温明月，唐悦红，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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