温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及NOR型存储器件。该NOR型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源...
该专利属于兆易创新科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过兆易创新科技集团股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。