【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅基oled制作，尤其是涉及一种硅基oled制作改善串扰方法。
技术介绍
1、与传统的amoled显示技术相比，硅基oled微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的cmos工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基oled微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
2、现有硅基oled全彩产品大多数采用woled(白光oled)+cf(彩色滤光片)技术，采用的器件结构一般为二叠层或者单层single oled硅基微显示器件。无论是single oled硅基微显示器件或者tandem oled硅基微显示器件都面临着严重的crosstalk(串扰)的问题，尤其是tandem器件由于其中包含cgl存在，电学串扰更为严重。串扰的存在会严重影响产品的对比度和产品的色纯度等光学参数。
3、如图8所示，为了改善串扰问题，其工艺制程中会增加undercut流程的制作工艺，以减少工艺制程中造成的像素串联，通电发光时带来干扰；但增加单独制作undercut的曝光和刻蚀步骤，会增加产品加工成本，制作周期长，影响产品制作效率。
技术实现思路
1、针对现有技术不足，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种硅基oled制作改善串扰方法，以达到节省了制作周期和产品加工成本的目的。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案为：
4、s1.cmos硅基板准备；
5、s2.制作阳极；
6、s3.制作像素层；
7、s4.pdl层曝光，pdl层通过加强驻波效应直接形成倒角；
8、s5.pdl层后续产品制程；
9、s6.制作oled器件。
10、其中，
11、所述曝光的过程中，使用光源曝光，光源为hg灯。
12、所述s3步骤中，完成pdl前制程，再进行pdl沉积。
13、所述光源的波长范围为240-450nm。
14、所述s4步骤中，在pdl上进行pr涂胶形成光刻胶层，再曝光显影，每个光刻胶单元边缘形成凸起。
15、所述s4步骤中，进行刻蚀处理，刻蚀气体在靠凸起边缘时，保留下来的光刻胶边缘凸起越大的周边的刻蚀气体浓度会增加，凹进去的边缘周边的气体浓度会增加相对低，在固定速率移动到pdl层时，由于浓度差异会导致光刻胶边缘下方刻蚀速率有差异，从而会使得光刻胶层的图形套刻到pdl，而套刻下来的图形就是后续需要的倒角。
16、所述s4步骤中，曝光时间范围为3-6秒。
17、所述s4步骤中，完成倒角，去除剩下的光刻胶。
18、所述s4步骤中，pdl的制作曝光工艺过程中，由于光在接近像素区域表面反射进pr胶中，两列沿相反方向传播的振幅相同、频率相同的波叠加时形成驻波效应，这个驻波效应形成的pr断面和需要制作的倒角形状吻合。
19、所述驻波效应直接形成倒角，考虑倒角的尺寸及程度，依据驻波效应的合并方程控制波长，其方程为：
20、沿x轴正方向传播的波称为右行波，波动方程为：
21、y1＝acos2π(t/t - x/λ ) (1)
22、沿x轴负方向传播的波称为左行波，波动方程为：
23、y2＝acos2π(t/t + x/λ ) (2)
24、合成后的驻波方程为式为：
25、y＝y1+y2＝2acos2π(x/λ)cos2π(t/t) (3)
26、其中，t:周期；λ:波长；a:振幅；t:传播时间；y:两列波的瞬时距离；y1:正方向传播的波的瞬时位置；y2:负方向传播的波的瞬时位置；x:波在x方向上的位置。
27、本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：
28、该硅基oled制作改善串扰方法设计合理，减少oled工艺流程的原本倒角制作步骤，利用驻波效应制作倒角，即利用已有工艺的副效应达成正面的效果，提升了产品制作效率，优化产品加工周期，节省产品加工成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述曝光的过程中，使用光源曝光，光源为Hg灯。
3.如权利要求1所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述S3步骤中，完成PDL前制程，再进行PDL沉积。
4.如权利要求2所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述光源的波长范围为240-450nm。
5.如权利要求3所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述S4步骤中，在PDL上进行PR涂胶形成光刻胶层，再曝光显影，每个光刻胶单元边缘形成凸起。
6.如权利要求5所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述S4步骤中，进行刻蚀处理，刻蚀气体在靠凸起边缘时，保留下来的光刻胶边缘凸起越大的周边的刻蚀气体浓度会增加，凹进去的边缘周边的气体浓度会增加相对低，在固定速率移动到PDL层时，由于浓度差异会导致光刻胶边缘下方刻蚀速率有差异，从而会使得光刻胶层的图形套刻到PDL，而套刻下来的图形就是后续需要的倒角。
7.如
8.如权利要求6所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述S4步骤中，完成倒角，去除剩下的光刻胶。
9.如权利要求6所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述S4步骤中，PDL的制作曝光工艺过程中，由于光在接近像素区域表面反射进PR胶中，两列沿相反方向传播的振幅相同、频率相同的波叠加时形成驻波效应，这个驻波效应形成的PR断面和需要制作的倒角形状吻合。
10.如权利要求9所述硅基OLED制作改善串扰方法，其特征在于：所述驻波效应直接形成倒角，考虑倒角的尺寸及程度，依据驻波效应的合并方程控制波长，其方程为：
...【技术特征摘要】
1.一种硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：所述曝光的过程中，使用光源曝光，光源为hg灯。
3.如权利要求1所述硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：所述s3步骤中，完成pdl前制程，再进行pdl沉积。
4.如权利要求2所述硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：所述光源的波长范围为240-450nm。
5.如权利要求3所述硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：所述s4步骤中，在pdl上进行pr涂胶形成光刻胶层，再曝光显影，每个光刻胶单元边缘形成凸起。
6.如权利要求5所述硅基oled制作改善串扰方法，其特征在于：所述s4步骤中，进行刻蚀处理，刻蚀气体在靠凸起边缘时，保留下来的光刻胶边缘凸起越大的周边的刻蚀气体浓度会增加，凹进去的边缘周边的气体浓度会增加相对低，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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