【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制作过程中，接触孔作为多层金属层间互连以及器件有源区与外界电路之间连接的通道，在器件结构组成中具有重要的作用。
2、对于沟槽mosfet，形成的接触孔内若有聚合物的存在或内联缺陷(inlinedefect)会导致接触孔开路(ct open)而影响器件性能。导致器件低良率的因素很多，进行低良率分析时需要通过微光显微镜和聚焦离子束(emmi&fib)才能准确知道是什么失效模型，过程非常复杂繁琐，耗时极长，并且需要报废一片晶圆，较浪费资源。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试方法，用于解决现有技术中针对接触孔开路缺陷的测试过程复杂繁琐且浪费资源的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试方法，包括：
3、步骤一，提供待测试的沟槽mosfet；
4、步骤二，测试该沟槽mosfet的阈值电压或栅极驱动漏电流；
5、步骤三，步骤二结束后，立即测试该沟槽mosfet的漏源击穿电压或漏极截止电流。
6、优选的，实施步骤三后，将得到的测试数值与经测试为良品的沟槽mosfet的相应参数比较，如果与良品的参数相同，可判断待测试的沟槽mosfet的失效模型为接触孔开路。
7、本申请还提供一种沟槽
8、步骤一，提供待测试的沟槽mosfet；
9、步骤二，测试该沟槽mosfet的阈值电压或栅极驱动漏电流；
10、步骤三，步骤二结束后，每间隔一段时间后测试一次该沟槽mosfet的漏源击穿电压或漏极截止电流。
11、优选的，实施步骤三后，如果得到的漏源击穿电压的测试数值不断降低至不良品的参数水平，可判断待测试的沟槽mosfet的失效模型为接触孔开路。
12、优选的，在步骤三中，每次测试开始与步骤二结束之间的间隔为4秒、6秒和10秒。
13、如上所述，本申请提供的沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试方法，具有以下有益效果：简化测试步骤，节省测试资源，提高测试效率。
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1.一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述步骤三后，将得到的测试数值与经测试为良品的沟槽MOSFET的相应参数比较，如果与所述良品的参数相同，可判断所述待测试的沟槽MOSFET的失效模型为接触孔开路。
3.一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，实施所述步骤三后，如果得到的漏源击穿电压的测试数值不断降低至不良品的参数水平，可判断所述待测试的沟槽MOSFET的失效模型为接触孔开路。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤三中，每次测试开始与所述步骤二结束之间的间隔为4秒、6秒和10秒。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述步骤三后，将得到的测试数值与经测试为良品的沟槽mosfet的相应参数比较，如果与所述良品的参数相同，可判断所述待测试的沟槽mosfet的失效模型为接触孔开路。
3.一种沟槽mosfet接触孔开路缺陷的测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐平平，张雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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