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本申请提供一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法,包括:步骤一,提供待测试的沟槽MOSFET;步骤二,测试该沟槽MOSFET的阈值电压或栅极驱动漏电流;步骤三,步骤二结束后,立即测试该沟槽MOSFET的漏源击穿电压或漏极截止电流。通过...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本申请提供一种沟槽MOSFET接触孔开路缺陷的测试方法,包括:步骤一,提供待测试的沟槽MOSFET;步骤二,测试该沟槽MOSFET的阈值电压或栅极驱动漏电流;步骤三,步骤二结束后,立即测试该沟槽MOSFET的漏源击穿电压或漏极截止电流。通过...