一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法，一种镓扩散形成可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，还包括镓穿通扩散区，镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽，其生产方法包括：Ｎ型硅片生长氧化层和光刻穿通环步骤，还包括腐蚀槽、镓扩散、减薄和镓穿通扩散步骤。本发明专利技术的优点是：硼穿通扩散均可在温度１２６０摄氏度和１２７０摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为１７０小时和１２０小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，Ｒ□约１００－２００Ω／□，反向阻断电压低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镓扩散形成可控硅穿通结构。本专利技术还涉及一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法。
技术介绍
现有技术中的可控硅穿通扩散通常指硼穿通扩散，但是硼穿通扩散温度高，达到 1270摄氏度，扩散时间长，通常要180小时；温度高造成少子寿命大大降低，造成可控硅阻 断电压降低；硼扩散浓度过浓，造成可控硅反向阻断电压降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种镓扩散形成可控硅穿通结构。本专利技术的另一个目的是提供一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法。本专利技术采用的技术方案是一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，还包括镓穿通扩散区，所 述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述每个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法，包括N型硅片生长氧化层和光刻穿 通环步骤，还包括腐蚀槽、镓扩散、减薄和镓穿通扩散步骤，所述腐蚀槽步骤为将进行光刻穿通环后的可控硅片置于盛有0摄氏度化学腐 蚀液(冰乙酸HF HNO3:= 1.5 3 10体积比)的容器内进行腐蚀槽操作，腐蚀槽深 16-24微米；所述镓扩散步骤为将进行腐蚀槽后的可控硅片置于高温扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述每个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周健，耿开远，朱法扬，
申请(专利权)人：启东吉莱电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32