一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管制造技术

一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。本实用新型专利技术采用N+PN+P+四层构成的单向单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。

A unidirectional surge enhanced transient voltage suppressor diode

A unidirectional surge enhanced transient voltage suppression diode, including a P type material piece, a P type material piece with a front N+ zone, a N+ deep junction and a back P+ depth on the back of the P type material sheet, and the depth of the deep N+ zone on the back of the N+ type greater than the depth of the back P+ area, and the oxide layer formed on the surface of the P type sheet and the cover part. In the positive N+ zone, the surface etching of the front N+ region has a metallized electrode, and the width of the metallized electrode extends to the oxide layer, and the whole surface of the back is metalized. The utility model adopts the structure of one way one-way transient voltage suppressor diode composed of N+PN+P+ four layers. After the front N+ is high potential, there is a conductive modulation effect of N+ on the back, which has advantages on the surge characteristic of the conventional unidirectional transient voltage suppression diode, and the unidirectional transient electric repression diode presents a surge enhancement. In addition, the surge current is added to the device to withstand higher current capability.

【技术实现步骤摘要】
一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管
本技术属于半导体器件
，具体涉及一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
传统的单向瞬态电压抑制二极管器件由于是单个PN结构成，背面有一层P+形成欧姆接触，传统的单向TVS器件在受到外界浪涌冲击时，无法形成浪涌增强的特性，导致承受浪涌的能力有限。本技术所要解决的技术问题是单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。进一步地，P型材料片衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm。进一步地，正面N+区的结深在15-25um，背面N+型深结区的结深在20-30um，背面P+区的结深在10-15um。进一步地，金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。本技术的优点是：本技术采用N+PN+P+四层构成的单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。图1是本技术的结构示意图。其中：1，P型材料片、2，正面N+区、3，背面N+型深结区、4、背面P+区。具体实施方式如图1所示，一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片1，P型材料片1衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm，P型材料片1有正面N+区2，P型材料片1的背面有背面N+型深结区3和背面P+区4的深度，背面N+型深结区3的深度大于背面P+区4的深度，第氧化层形成于P型材料片1的表面并覆盖部分正面N+区2反型层，正面N+区2的结深在15-25um，所述背面N+型深结区3的结深在20-30um，背面P+区4的结深在10-15um，正面N+区2的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化，金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括P型材料片，所述P型材料片有正面N+区，所述P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，所述背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，所述P型材料片的表面形成有第氧化层并覆盖部分正面N+区反型层，所述正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，所述金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。

【技术特征摘要】
1.一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括P型材料片，所述P型材料片有正面N+区，所述P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，所述背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，所述P型材料片的表面形成有第氧化层并覆盖部分正面N+区反型层，所述正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，所述金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。2.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：启东吉莱电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32