【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆测试，具体涉及一种晶圆大电阻测试结构、测试方法及测试系统。
技术介绍
1、晶圆生产完成后，将晶圆放置在载片台上，通过量测机台上的探针与晶圆接触，对晶圆上的每个芯片电阻进行电阻阻值的量测。然而，由于晶圆上的芯片数量较多，对晶圆上的每个芯片电阻进行检测，耗费时间较长，从而导致晶圆的量测效率较低。
2、目前，通常在wat(wafer acceptance test，晶圆接受测试)的电性测试和可靠性测试中，利用wat测试结构对晶圆内电阻进行测试，但是由于量测机台精度和测试方法的限制，一些大阻值的电阻无法精确地量测，严重影响了晶圆生产效率、质量、成本等。
3、基于此，需要一种新的电阻测试技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆大电阻测试结构、测试方法及测试系统，测试结构简单，能够对晶圆上的大电阻进行测试，且测试精度、效率得到保障。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种晶圆大电阻测试结构...
【技术保护点】
1.一种晶圆大电阻测试结构，其特征在于，包括：第一测试焊盘、第二测试焊盘和容性支路；
2.一种晶圆大电阻测试结构，其特征在于，包括：第一测试焊盘、第二测试焊盘、第三测试焊盘和容性支路；
3.根据权利要求1或2所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，容性支路包括设置于晶圆上的容性支路。
4.根据权利要求3所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，设置于晶圆上的容性支路包括设置于晶圆上的电容器。
5.根据权利要求1或者2所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，第一测试焊盘、第二测试焊盘为WAT测试项目中的测试焊盘。
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆大电阻测试结构，其特征在于，包括：第一测试焊盘、第二测试焊盘和容性支路；
2.一种晶圆大电阻测试结构，其特征在于，包括：第一测试焊盘、第二测试焊盘、第三测试焊盘和容性支路；
3.根据权利要求1或2所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，容性支路包括设置于晶圆上的容性支路。
4.根据权利要求3所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，设置于晶圆上的容性支路包括设置于晶圆上的电容器。
5.根据权利要求1或者2所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，第一测试焊盘、第二测试焊盘为wat测试项目中的测试焊盘。
6.根据权利要求1或者2所述的晶圆大电阻测试结构，其特征在于，当进行至少两组交流信号量测时，多组交流信号的频率...
【专利技术属性】
技术研发人员：董凌云，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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