内绝缘型塑封半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、Ｋ极内引线和电极引出端，可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和Ｋ极内引线，电极引出端与小底板连接，其特征是大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，小底板上设有凸台，可控硅芯片置于凸台上，框架、大底板和小底板均为铜质材料制成，门极内引线和Ｋ极内引线均为铜引线片。还涉及制造方法，包括铜底板点胶、上瓷片、瓷片点胶、装配引脚框架、框架烧结、框架上料、框架点胶、上芯片、芯片点胶、引脚点胶、上内引线片、芯片烧结、清洗、包封、固化、去毛刺和电镀锡步骤。本发明专利技术优点：绝缘耐压、有利散热、气密性高、可靠性高、安全性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种。
技术介绍
目前半导体器件的封装结构是硅芯片直接烧结到引线框架的金属底板上，即器件 的某个电极直接与框架的金属底板连接，而有些器件(如可控硅)的使用特点又是绝大多 数直接接到AC220V或AC380V电源上，用户在使用时，会使散热片直接连接较高电压的交流 电，给使用带来诸多不便，几只可控硅同时在一个电路中使用时，不能共用一个散热片，还 会造成不安全的因素。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种绝缘耐压、有利散热、气密性高、可靠性高、安全性 高的一种内绝缘型塑封半导体器件。本专利技术的另一个目的是提供上述半导体器件的制造方法。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、 K极内引线和电极引出端，所述可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和K极内引 线，所述电极引出端与小底板连接，所述大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，所述 小底板上设有凸台，所述可控硅芯片置于凸台上，所述框架、大底板和小底板均为铜质材料 制成，所述门极内引线和K极内引线均为铜引线片。所述可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、Ｋ极内引线和电极引出端，所述可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和Ｋ极内引线，所述电极引出端与小底板连接，其特征在于：所述大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，所述小底板上设有凸台，所述可控硅芯片置于凸台上，所述框架、大底板和小底板均为铜质材料制成，所述门极内引线和Ｋ极内引线均为铜引线片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，吴家健，黄健，王琳，
申请(专利权)人：启东市捷捷微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]