本发明涉及一种可控硅芯片与钼片的烧结模具，包括烧结模具本体，烧结模具本体上设有多个中间开有便于纵向排气的孔，便于纵向排气的孔下方设有便于横向排气的孔，便于纵向排气的孔的顶部从上到下依次设有上层定位台阶、中层定位台阶和下层定位台阶，烧结模...

本发明公开了在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置，其特征是：包括激光器、光路传输通道、扩束装置、偏转装置、光学聚焦装置、吹气排气装置、玻璃钝化膜以及操作平台，激光器与光路传输通道相连，光学聚焦装置设于紫光激光束的两侧，吹气排气装置设于...

本发明涉及一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构及其方法，一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构，包括散热底板、可控硅芯片、门极引线片、阳极引线片和阴极引线片，所述散热底板与可控硅芯片之间固定有氧化铝瓷片，氧化铝瓷片外围的散热底板上固定...

本发明涉及一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅，包括铜底板和引脚，铜底板上通过铅锡焊料焊接有硅芯片，硅芯片上焊接有铝丝内引线，铝丝内引线外通过塑封料塑封，引脚之间开有塑料沟槽。本发明还涉及一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅的封...

本发明公开了一种大功率半导体器件，依次包括引线框架、底板、陶瓷片、小底板、半导体芯片，引线框架上设有管脚，其特征是：半导体芯片的电极与引线框架的管脚通过铜片连接，铜片呈3-6夹角的V字形结构，夹角中烧结填充有焊锡膏。上述大功率半导体器件...

本发明涉及台面工艺功率晶体管芯片结构，包括N+发射区、发射极铝电极、基极铝电极、SiO2保护膜、玻璃钝化膜、N+衬底扩散层、P型基区扩散层和硅单晶片，所述硅单晶片正面设有P型基区扩散层，所述硅单晶片背面设有N+衬底扩散层，所述P型基区扩...

本发明涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有S...

本发明涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法，其特征在于：包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区，所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽，所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。本发明...

本实用新型涉及内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、Ｋ极内引线和电极引出端，可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和Ｋ极内引线，电极引出端与小底板连接，大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，小底板...

本发明涉及门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法，门极灵敏触发单向晶闸管芯片，在Ｐ型连接孔与Ｎ＋发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条。门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，在Ｎ↑［＋］发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了ＬＰＣＶＤ多晶硅...

本发明涉及半导体高压器件芯片，该芯片的内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。本发明还涉及半导体高压...

本发明公开了一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片和其生产方法，该芯片包括金属电极Ｔ１和Ｔ２、Ｎ↑［＋］发射区、Ｎ↑［－］型长基区、Ｐ型短基区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，所述芯片内部设立一段Ｎ型离子注入区，在蚀刻沟槽外的Ｐ型短基区下形成一个...

本发明涉及内绝缘型塑封半导体器件，包括框架、大底板、小底板、可控硅芯片、门极内引线、Ｋ极内引线和电极引出端，可控硅芯片与电极引出端之间连接门极内引线和Ｋ极内引线，电极引出端与小底板连接，其特征是大底板与小底板之间设有三氧化二铝陶瓷片，小...

本发明提供一种门极灵敏触发单向可控硅芯片，它提高了产品的温度特性，改善了触发电流Ｉ↓［ＧＴ］的批一致性。本发明还提供生产门极灵敏触发单向可控硅芯片的方法，该方法工艺简单，加工方便，并改善了产品的性能。门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括门极...