【技术实现步骤摘要】
本申请涉及探测器，特别是涉及一种探测器、探测器晶体校正方法。
技术介绍
1、cdzntd(碲锌镉)晶体在化学组成成分上属于三元化合物，在实际生产中，难以控制cdzntd晶体按照化学计量比生长。而非化学计量比生长的cdzntd晶体不可避免地存在大量位错，以及记忆空位、间隙、反位等缺陷。
2、光子计数ct(photo-counting ct，pcct)是ct类型发展的一个重要趋势，而pcct中光子计数探测器(photo-counting detector，pcd)采用的主流方案是用碲锌铬(cdzntd)晶体作为光电转换器件，根据晶体生成的电信号得到ct探测结果，从而实现ct扫描。
3、因此，光子计数探测器(pcd)中碲锌镉晶体中不可避免的缺陷，会形成载流子(比如电子-空穴)俘获中心(也称之为晶体缺陷)。基于ct设备进行辐射成像时，ct设备发射的射线与光子计数探测器中晶体相互作用产生电子-空穴对，而电子-空穴对会被这些晶体缺陷俘获、复合，严重影响载流子的正常输运，继而影响探测器稳定性，最终对ct成像质量造成影响。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种探测器、探测器晶体校正方法，以解决基于光子计数探测器进行ct成像时，成像质量低的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种，所述探测器与外部电源连接，所述探测器包括电荷调制模块、晶体和asic芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述asic芯片连接；其中，
3、所述
4、在其中一个实施例中，所述电荷调制模块包括第一电源单元；其中，
5、所述第一电源单元，用于当所述探测器处于准备状态时，将电荷输入至所述晶体，直至所述探测器转变为工作状态。
6、在其中一个实施例中，所述第一电源单元包括脉冲电压源，所述脉冲电压源的一端与所述晶体连接，所述脉冲电压源的另一端与所述asic芯片连接；其中，
7、所述脉冲电压源用于输出脉冲电压信号。
8、在其中一个实施例中，所述电荷调制模块还包括第二电源单元，所述第二电源单元的一端与所述晶体连接，所述第二电源单元的另一端接地；其中，
9、所述第二电源单元，用于输出第一电压信号至所述晶体；其中，所述第一电压信号的幅值不低于预设值。
10、在其中一个实施例中，所述电荷调制模块包括：电容单元，所述电容单元的一端与所述电荷调制模块连接，所述电容单元的另一端与所述晶体连接。
11、在其中一个实施例中，所述电荷调制模块还包括：开关单元，所述开关单元分别与所述电容单元和所述探测器连接；其中，
12、当所述探测器处于准备状态时，所述开关单元导通；当所述探测器处于工作状态时，所述开关单元截止。
13、在其中一个实施例中，所述开关单元包括开关部，所述开关部与所述晶体中的电极对应活动连接。
14、在其中一个实施例中，所述asic芯片与所述晶体中的电极连接；其中，
15、所述晶体，用于输出电信号至所述asic芯片；
16、所述asic芯片，用于基于所述电信号生成探测结果。
17、第二方面，本申请还提供了一种探测器晶体校正方法，其特征在于，探测器包括电荷调制模块、晶体和asic芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述asic芯片连接；所述方法包括：
18、所述晶体接收所述电荷调制模块输出的电压信号，根据所述电压信号获取电荷，使所述电荷与所述晶体的缺陷结合。
19、在其中一个实施例中，根据所述电压信号获取所述电荷，包括：
20、根据所述电压信号存储电荷，直至所述电荷达到预设电荷量；
21、在判断到所述探测器处于准备状态时，获取所述预设电荷量的电荷；
22、在判断到所述探测器转变为工作状态时，停止获取所述电荷。
23、上述探测器、探测器晶体校正方法，通过探测器内的电荷调制模块向晶体输入电荷，使得电荷将在电场施加库仑力作用下，在晶体内部进行漂移运动，并被晶体的缺陷俘获，以填充晶体缺陷。探测器运行时，晶体内部缺陷减少，从而使得探测器运行时，减少光生载流子被晶体缺陷俘获、复合的情况，使得晶体输入至asic芯片的电信号更为准确，从而解决基于光子计数探测器进行ct成像时，成像质量低的问题。
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1.一种探测器，其特征在于，所述探测器与外部电源连接，所述探测器包括电荷调制模块、晶体和ASIC芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述ASIC芯片连接；其中，
2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括第一电源单元；其中，
3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述第一电源单元包括脉冲电压源，所述脉冲电压源的一端与所述晶体连接，所述脉冲电压源的另一端与所述ASIC芯片连接；其中，
4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块还包括第二电源单元，所述第二电源单元的一端与所述晶体连接，所述第二电源单元的另一端接地；其中，
5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括：电容单元，所述电容单元的一端与所述电荷调制模块连接，所述电容单元的另一端与所述晶体连接。
6.根据权利要求5所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块还包括：开关单元，所述开关单元分别与所述电容单元和所述探测器连接；其中，
7.根据权利要求6所述的探测器，其特征在于，所述开
8.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述ASIC芯片与所述晶体中的电极连接；其中，
9.一种探测器晶体校正方法，其特征在于，探测器包括电荷调制模块、晶体和ASIC芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述ASIC芯片连接；所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的探测器晶体校正方法，其特征在于，根据所述电压信号获取所述电荷，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种探测器，其特征在于，所述探测器与外部电源连接，所述探测器包括电荷调制模块、晶体和asic芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述asic芯片连接；其中，
2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括第一电源单元；其中，
3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述第一电源单元包括脉冲电压源，所述脉冲电压源的一端与所述晶体连接，所述脉冲电压源的另一端与所述asic芯片连接；其中，
4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块还包括第二电源单元，所述第二电源单元的一端与所述晶体连接，所述第二电源单元的另一端接地；其中，
5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括：电容单元，所述电容单元的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈灿，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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