探测器、探测器晶体校正方法技术

本申请涉及一种探测器、探测器晶体校正方法，探测器包括电荷调制模块、晶体和ASIC芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述ASIC芯片连接；其中，所述电荷调制模块，用于将电荷输入至所述晶体，电荷能够与晶体的缺陷结合。通过探测器内的电荷调制模块向晶体输入电荷，使得电荷在晶体内部进行漂移运动，以填充晶体缺陷。探测器运行时，晶体内部缺陷减少，从而使得探测器运行时，减少光生载流子被晶体缺陷俘获、复合的情况，使得晶体输入至ASIC芯片的电信号更为准确，从而解决基于光子计数探测器进行CT成像时，成像质量低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及探测器，特别是涉及一种探测器、探测器晶体校正方法。

技术介绍

1、cdzntd(碲锌镉)晶体在化学组成成分上属于三元化合物，在实际生产中，难以控制cdzntd晶体按照化学计量比生长。而非化学计量比生长的cdzntd晶体不可避免地存在大量位错，以及记忆空位、间隙、反位等缺陷。

2、光子计数ct(photo-counting ct，pcct)是ct类型发展的一个重要趋势，而pcct中光子计数探测器(photo-counting detector，pcd)采用的主流方案是用碲锌铬(cdzntd)晶体作为光电转换器件，根据晶体生成的电信号得到ct探测结果，从而实现ct扫描。

3、因此，光子计数探测器(pcd)中碲锌镉晶体中不可避免的缺陷，会形成载流子(比如电子-空穴)俘获中心(也称之为晶体缺陷)。基于ct设备进行辐射成像时，ct设备发射的射线与光子计数探测器中晶体相互作用产生电子-空穴对，而电子-空穴对会被这些晶体缺陷俘获、复合，严重影响载流子的正常输运，继而影响探测器稳定性，最终对ct成像质量造成影响。>

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探测器，其特征在于，所述探测器与外部电源连接，所述探测器包括电荷调制模块、晶体和ASIC芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述ASIC芯片连接；其中，

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括第一电源单元；其中，

3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述第一电源单元包括脉冲电压源，所述脉冲电压源的一端与所述晶体连接，所述脉冲电压源的另一端与所述ASIC芯片连接；其中，

4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块还包括第二电源单元，所述第二电源单元的一端与所述晶体连接，所述第二电源单...

【技术特征摘要】

1.一种探测器，其特征在于，所述探测器与外部电源连接，所述探测器包括电荷调制模块、晶体和asic芯片，所述电荷调制模块与所述晶体连接，所述晶体与所述asic芯片连接；其中，

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括第一电源单元；其中，

3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述第一电源单元包括脉冲电压源，所述脉冲电压源的一端与所述晶体连接，所述脉冲电压源的另一端与所述asic芯片连接；其中，

4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块还包括第二电源单元，所述第二电源单元的一端与所述晶体连接，所述第二电源单元的另一端接地；其中，

5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电荷调制模块包括：电容单元，所述电容单元的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈灿，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：