【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体器件，具体涉及一种高密度倾斜沟道功率半导体器件。
技术介绍
1、在电子技术革命的浪潮中，功率半导体器件的重要性也日益增加。近年来，随着高介电常数栅介质的成熟应用，功率半导体器件的击穿电压和比导通电阻得到了显著提高，但是实现这种结构的工艺仍然面临着许多挑战和难题需要解决。环绕栅极场效应晶体管(gaa fet)选择使用栅极彻底地从四面包裹沟道区，获得最大程度的栅极控制能力。但是由于环栅的纵向电极占据大量的芯片面积，该区域下方无法形成沟道，导致其存在沟道宽度小等问题。因此，如何解决沟道电阻、沟道宽度小的问题是功率半导体器件设计领域值得深入探索的研究。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的是现有环栅功率半导体器件存在沟道电阻和宽度小的问题，提供一种高密度倾斜沟道功率半导体器件。
2、为解决上述问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，包括衬底层、埋氧层、沟道区、漂移区、漏极区、源极区、环表面栅、埋栅、源极、栅...
【技术保护点】
1.一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，包括衬底层(1)、埋氧层(2)、沟道区(3)、漂移区(4)、漏极区(5)、源极区(6)、环表面栅(7)、埋栅(8)、源极、栅极和漏极；埋氧层(2)设置于衬底层(1)的上方；沟道区(3)与漂移区(4)设置于埋氧层(2)上方，且沟道区(3)与漂移区(4)相邻接；源极区(6)处于沟道区(3)中；漏极区(5)处于漂移区(4)中；埋栅(8)嵌入埋氧层(2)内，并位于沟道区(3)的正下方；环表面栅(7)环设于沟道区(3)的外表面，且环表面栅(7)的整个内表面与沟道区(3)的整个外表面之间通过绝缘介质(10)相连；埋栅(8)与环表面栅(7)之间...
【技术特征摘要】
1.一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，包括衬底层(1)、埋氧层(2)、沟道区(3)、漂移区(4)、漏极区(5)、源极区(6)、环表面栅(7)、埋栅(8)、源极、栅极和漏极；埋氧层(2)设置于衬底层(1)的上方；沟道区(3)与漂移区(4)设置于埋氧层(2)上方，且沟道区(3)与漂移区(4)相邻接；源极区(6)处于沟道区(3)中；漏极区(5)处于漂移区(4)中；埋栅(8)嵌入埋氧层(2)内，并位于沟道区(3)的正下方；环表面栅(7)环设于沟道区(3)的外表面，且环表面栅(7)的整个内表面与沟道区(3)的整个外表面之间通过绝缘介质(10)相连；埋栅(8)与环表面栅(7)之间通过电极线(11)连通；源极从源极区(6)引出，漏极从漏极区(5)引出，栅极从环表面栅(7)引出；其特征是，沟道区(3)内开设有至少一个倒v形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区(3)，即嵌入槽的上表面与沟道区(3)的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区(3)的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琦，管理，陈永和，翟江辉，李海鸥，崔现文，程识，叶健，李佩，牛玉龙，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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