单模半导体激光器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种单模半导体激光器，包括：N面电极；衬底，形成在N面电极上；叠层结构，形成在衬底上，叠层结构自下而上依次包括缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层；P型限制层，形成在叠层结构上，P型限制层包括第一部分和从第一部分远离叠层结构突出并形成台面的第二部分，第二部分包括电极区和位于电极区两侧的光模式选择区，光模式选择区包括多个微结构，多个微结构被构造成使得光模式选择区抑制高阶模的输出，以输出单模；电极区与光模式选择区之间设置有电流隔离沟槽；P型欧姆接触层，形成在P型限制层的电极区上；P面电极，形成在P型欧姆接触层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的至少一种实施例涉及一种半导体激光器，尤其涉及一种单模半导体激光器及其制作方法。

技术介绍

1、半导体激光器基横模需要通过器件横截面上两个方向实现，其中横向单模由外延结构中量子阱、波导层与上下两个限制层之间的折射率差来实现，技术已经成熟，而侧向上单模的一般依赖于刻蚀限制层造成侧向上折射率差，使波导不能容纳高阶模来实现。利用这种方法制备出的窄脊型激光器的台面宽度普遍在5-8μm，这严重限制了器件输出功率的提高。增大台面宽度虽然能够提高功率，但会容纳更多的多模，破坏器件的单侧模输出特性。具有末端锥形波导结构的mopa(主振荡功率放大器，master oscillator poweramplifier)型激光器虽然通过锥形放大端可以大幅提升功率，但引入的“光丝”效应会破坏器件的光束质量，甚至使器件表现出多模的输出。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种单模半导体激光器，能够实现侧向单模的输出。

2、作为本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种单模半导体激光器，包括：n面电极；衬底，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单模半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)远离所述电极区(821)突出，并且所述微结构(8221)靠近所述电极区(821)的宽度与所述微结构末端的宽度不相等。

3.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)的形状包括半圆形、三角形、梯形、不规则多边形中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)的形状为半圆形，半圆形的半径为10μm-30μm。

5.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，...

【技术特征摘要】

1.一种单模半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)远离所述电极区(821)突出，并且所述微结构(8221)靠近所述电极区(821)的宽度与所述微结构末端的宽度不相等。

3.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)的形状包括半圆形、三角形、梯形、不规则多边形中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述微结构(8221)的形状为半圆形，半圆形的半径为10μm-30μm。

5.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述电流隔离沟槽(823)的深度小于所述第二部分(82)的厚度。

6.根据权利要求1所述的单模半导体激光器，其特征在于，所述p...

【专利技术属性】
技术研发人员：常津源，熊聪，祁琼，郝爽，王婷，刘素平，马骁宇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：