【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路，本申请涉及一种晶片边缘残胶去除方法。
技术介绍
1、光刻图形的形成主要是涂胶步骤，曝光步骤和显影步骤。每一步都很重要，缺一不可。在光阻涂布过程中，多余的光阻会被离心力推到晶片边缘，大部分会被甩离晶片，少量会残留在晶片边缘甚至流至晶片背面。由于晶片边缘气流相对速度较大，会导致残胶很快固化，形成隆起的厚边，边缘隆起的光刻胶不但容易发生peeling影响其他部分图形，而且还会造成机台沾污，因此需要在匀胶结束后立即去除。
2、然而在某些特殊工艺(如双厚铜工艺)，因工艺流程带来的高台阶差异，造成光刻胶在晶片边缘处堆积很厚，普通的洗边工艺并不能将晶片边缘残留光刻胶去除干净，这种残胶缺陷不仅会影响后道工艺而且会沾污机台。
技术实现思路
1、本申请提供了一种晶片边缘残胶去除方法，可以解决相关技术中晶片边缘残留光刻胶去除不干净的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种晶片边缘残胶去除方法，所述晶片边缘残胶去除方法包括以下步骤：
3、步骤一：将完成光刻胶涂布工艺后的晶片置于洗边装置的机台上；
4、步骤二：所述洗边装置的喷淋头喷淋洗边溶剂的同时从开始位置向所述机台靠近直至所述喷淋头对准所述晶片的边缘；
5、步骤三：在所述机台以第一转速转动的状态下，所述喷淋头向所述晶片的边缘喷淋第一时长的洗边溶剂；
6、步骤四：所述喷淋头离开所述机台回到所述开始位置后再次靠近所述机台；在所述喷淋头离开所述
7、步骤五：所述喷淋头回到对准所述晶片边缘位置处；
8、步骤六：在所述机台以第一转速转动的状态下，所述喷淋头向所述晶片的边缘喷淋第二时长的洗边溶剂；
9、步骤七：检测所述晶片的边缘是否存在残留的光刻胶；
10、步骤八：当所述晶片的边缘存在残留的光刻胶，重复所述步骤三至所述步骤七，直至所述晶片的边缘不存在残留的光刻胶；
11、步骤九：当所述晶片的边缘不存在残留的光刻胶，所述机台停止转动，所述喷淋头回到所述开始位置。
12、可选地，所述第一转速的范围为200rps至800rps。
13、可选地，所述第二转速的范围为1200rps至2000rps。
14、可选地，所述机台以第二转速转动的期间为第三时长；
15、所述第一时长和所述第二时长的总合，与所述第三时长的比值为1：1至2：1。
16、可选地，所述步骤四：所述喷淋头离开所述机台回到所述开始位置后再次靠近所述机台中，所述喷淋头再次靠近所述机台的时刻所述机台的转速由所述第二转速降为所述第一转速。
17、可选地，所述步骤二：所述洗边装置的喷淋头喷淋洗边溶剂的同时从开始位置向所述机台靠近直至所述喷淋头对准所述晶片的边缘过程中，所述机台以第一转速旋转。
18、本申请技术方案，至少包括如下优点：本实施例通过机台高、低速组合，搭配时间的变化，多次的洗边循环能让洗边溶剂与晶片边缘的厚光阻充分接触反应，增强对晶片边缘的去胶能力，解决晶片边缘残留光刻胶去除不干净的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述晶片边缘残胶去除方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述第一转速的范围为200rps至800rps。
3.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述第二转速的范围为1200rps至2000rps。
4.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述机台以第二转速转动的期间为第三时长；
5.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述步骤四：所述喷淋头离开所述机台回到所述开始位置后再次靠近所述机台中，所述喷淋头再次靠近所述机台的时刻所述机台的转速由所述第二转速降为所述第一转速。
6.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述步骤二：所述洗边装置的喷淋头喷淋洗边溶剂的同时从开始位置向所述机台靠近直至所述喷淋头对准所述晶片的边缘过程中，所述机台以第一转速旋转。
【技术特征摘要】
1.一种晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述晶片边缘残胶去除方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述第一转速的范围为200rps至800rps。
3.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述第二转速的范围为1200rps至2000rps。
4.如权利要求1所述的晶片边缘残胶去除方法，其特征在于，所述机台以第二转速转动的期间为第三时长；...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭星，宋振伟，张其学，闻旭，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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