一种半导体晶圆升降气缸控制结构及运动平台制造技术

技术编号:40287213 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-07 20:39
本技术提供一种半导体晶圆升降气缸控制结构,包括:电磁阀,电磁阀一端连接总气源,另一端与外界连通;节流阀组,节流阀组连通电磁阀,包括至少两个节流阀;分气件,分气件连接节流阀组,其内部设有至少两个上气路通道及至少两个下气路通道,总气源与上气路通道在电磁阀通电时连通,下气路通道与外界在电磁阀通电时联通,总气源与下气路通道在电磁阀断电时连通,上气路通道与外界在电磁阀断电时联通;气缸组,气缸组连接分气件,包括至少两个气缸,任意气缸均同时连通一个上气路通道及一个下气路通道。本半导体晶圆升降气缸控制结构,整体气路结构简单,操作简便,占用空间小,降低了物料成本,增加了气体流量,更有利于提高其驱动效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及气缸运动控制,具体指一种半导体晶圆升降气缸控制结构及运动平台


技术介绍

1、在生产芯片的过程中,晶圆检测是极为重要的一步,现阶段行业内通常利用多轴高精密运动平台承载晶圆,并带动其移动至检测相机的工作区域进行检测,这一过程中,对于平台纵向高度的调整通常采用依次连接的总气源、电磁阀以及节流阀实现对一个升降气缸的驱动控制,图1展示了现有气路中控制两个升降气缸的连接结构图,此种方式虽然能够达到通过电磁阀的通断实现驱动气缸升降的目的,但是一组装置仅能够控制一个气缸,当需要针对多个晶圆进行检测时就需要相应设置多组装置,或通过一组装置重复进行多次检测,但是前者大大增加了相关装置的复杂程度和成本,而且气路过多还容易出现相互干扰缠绕的问题,因此存在安全隐患,后者操作过于繁琐、效率低下。


技术实现思路

1、为此,本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中一组电磁阀和节流阀仅能够控制一个升降气缸的问题,提供一种能够同时控制多个升降气缸的半导体晶圆升降气缸控制结构及运动平台。

2、为解决上述技术问题,本技术提供了一种半导体晶圆升降气缸控制结构,包括:电磁阀,所述电磁阀一端连接总气源,另一端与外界连通;节流阀组,所述节流阀组连通所述电磁阀,包括至少两个节流阀;分气件,所述分气件连接所述节流阀组,其内部设有至少两个上气路通道及至少两个下气路通道,所述总气源与所述上气路通道在所述电磁阀通电时连通,所述下气路通道与外界在所述电磁阀通电时联通,所述总气源与所述下气路通道在所述电磁阀断电时连通,所述上气路通道与外界在所述电磁阀断电时联通;气缸组,所述气缸组连接所述分气件,包括至少两个气缸,任意所述气缸均同时连通一个所述上气路通道及一个所述下气路通道。

3、在本技术的一个实施例中,所述分气件包括多个连接于所述上气路通道及所述下气路通道端部的快接插头,所述气缸组通过所述快接插头连接所述分气件。

4、在本技术的一个实施例中,所述电磁阀与所述总气源之间、所述电磁阀与所述节流阀组之间以及所述分气件与所述气缸组之间均采用气管连通。

5、在本技术的一个实施例中,所述节流阀组包括分别连接于所述分气件一侧的第一节流阀及第二节流阀。

6、在本技术的一个实施例中,所述分气件内部设有两条独立设置的上气路通道及两条独立设置的下气路通道。

7、在本技术的一个实施例中,所述气缸组包括分别连接所述分气件的第一气缸及第二气缸。

8、为解决上述技术问题,本技术还提供了一种运动平台,包括上述半导体晶圆升降气缸控制结构及承载台、横移模组以及纵移模组,所述承载台滑动连接于所述横移模组,所述横移模组滑动连接于所述纵移模组,所述半导体晶圆升降气缸控制结构设置于所述承载台内部,且随所述承载台同步移动。

9、在本技术的一个实施例中,所述气缸组连接所述承载台。

10、在本技术的一个实施例中,所述横移模组包括横向滑轨及第一驱动机构,所述第一驱动机构连接所述纵移模组。

11、在本技术的一个实施例中,所述纵移模组包括纵向滑轨及第二驱动机构,所述第二驱动机构连接所述承载台。

12、本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:

13、本技术所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,能够通过分气件同时连接多个节流阀及气缸,实现了通过一个电磁阀就能够控制多个气缸同步升降的目的,相比于常规结构的控制气路,本技术成倍减少了气动元件的设置,整体气路结构简单,操作简便,占用空间小,大大降低了物料成本,此外,本半导体晶圆升降气缸控制结构还减少了气管的数量,进而相应降低了管阻,增加了气体流量,更有利于提高其驱动效率。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:包括:

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述分气件包括多个连接于所述上气路通道及所述下气路通道端部的快接插头,所述气缸组通过所述快接插头连接所述分气件。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述电磁阀与所述总气源之间、所述电磁阀与所述节流阀组之间以及所述分气件与所述气缸组之间均采用气管连通。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述节流阀组包括分别连接于所述分气件一侧的第一节流阀及第二节流阀。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述分气件内部设有两条独立设置的上气路通道及两条独立设置的下气路通道。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述气缸组包括分别连接所述分气件的第一气缸及第二气缸。

7.一种运动平台,其特征在于:包括权利要求1-6中任意一项所述的半导体晶圆升降气缸控制结构及承载台、横移模组以及纵移模组,所述承载台滑动连接于所述横移模组,所述横移模组滑动连接于所述纵移模组,所述半导体晶圆升降气缸控制结构设置于所述承载台内部,且随所述承载台同步移动。

8.根据权利要求7所述的运动平台,其特征在于:所述气缸组连接所述承载台。

9.根据权利要求7所述的运动平台,其特征在于:所述横移模组包括横向滑轨及第一驱动机构,所述第一驱动机构连接所述纵移模组。

10.根据权利要求7所述的运动平台,其特征在于:所述纵移模组包括纵向滑轨及第二驱动机构,所述第二驱动机构连接所述承载台。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:包括:

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述分气件包括多个连接于所述上气路通道及所述下气路通道端部的快接插头,所述气缸组通过所述快接插头连接所述分气件。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述电磁阀与所述总气源之间、所述电磁阀与所述节流阀组之间以及所述分气件与所述气缸组之间均采用气管连通。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述节流阀组包括分别连接于所述分气件一侧的第一节流阀及第二节流阀。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆升降气缸控制结构,其特征在于:所述分气件内部设有两条独立设置的上气路通道及两条独立设置的下气路通道。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙雪琛万磊黄华龚政
申请(专利权)人:雅科贝思精密机电上海有限公司
类型:新型
国别省市:

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