一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台制造技术

实用新型专利技术涉及一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，包括：下底座；环形的旋转电机，位于下底座的上方；旋转机加件，转动连接在下底座的上方，且位于旋转电机的内部；旋转电机、旋转机加件和下底座围设形成空腔；气浮块，位于空腔中且与下底座连接，气浮块位于旋转机加件的下方；预压连接件，位于空腔中且与下底座连接，预压连接件位于旋转机加件的下方与旋转机加件形成向下的预压力，预压连接件位于气浮块的旁侧。本实用新型专利技术本申请能够实现旋转机加件的高平面度和端跳的同时，减小整个旋转平台的高度。旋转平台的高度。旋转平台的高度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台


[0001]技术涉及半导体加工
，尤其是指一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台。

技术介绍

[0002]在半导体晶圆加工、测量、精密激光切割、划刻以及掩模等精密检测设备中，旋转模组平台的应用越来越广泛。这些高平度要求的旋转模组平台往往大部分用气浮来实现。然而，为了保证气浮旋转平面的平面度，目前市面的旋转模组平台大都是采用上下双层气浮块夹持旋转平面下面的一个平行面来保证上面旋转面的平面度，这样就会导致整个气浮旋转的模组平台的高度方向较高，使得这样的气浮旋转模组在很多实际应用中存在很多麻烦，如果整体空间尺寸变大以及整体运动重量质心偏高，使得旋转平面度更难以保证，所以有必要开发一种气浮旋转模组低重心的结构。

技术实现思路

[0003]为此，技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中气浮旋转的模组平台的高度方向较高的问题。
[0004]为解决上述技术问题，技术提供了一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，包括：
[0005]下底座；
[0006]环形的旋转电机，位于下底座的上方；
[0007]旋转机加件，转动连接在下底座的上方，且位于旋转电机的内部；旋转电机、旋转机加件和下底座围设形成空腔；
[0008]气浮块，位于空腔中且与下底座连接，气浮块位于旋转机加件的下方；
[0009]预压连接件，位于空腔中且与下底座连接，预压连接件位于旋转机加件的下方与旋转机加件形成向下的预压力，预压连接件位于气浮块的旁侧。
[0010]在技术的一个实施例中，预压连接件为两个第二磁铁，两个第二磁铁设置在气浮块的两侧。
[0011]在技术的一个实施例中，气浮块为多个，多个气浮块沿周向间隔设置。
[0012]在技术的一个实施例中，气浮块为三个，三个气浮块沿周向等分设置。
[0013]在技术的一个实施例中，本申请还包括编码器和环形光栅尺，环形光栅尺固定连接在旋转机加件的底部，且环形光栅位于气浮块的外侧，环形光栅尺与编码器电连接。
[0014]在技术的一个实施例中，旋转电机包括环形的线圈和环形的第一磁铁，第一磁铁与旋转机加件连接，线圈位于第一磁铁的下方，线圈与电源电连接。
[0015]在技术的一个实施例中，第一磁铁的顶部设有向内凸出的第一凸起部，旋转机加件的底部设有向内凸出的第二凸起部，第一凸起部搭设在第二凸起部的顶部并连接。
[0016]在技术的一个实施例中，第一凸起部和第二凸起部沿周向均设有多个通孔，
第一凸起部的通孔与第二凸起部的通孔通过螺栓连接。
[0017]在技术的一个实施例中，旋转机加件与下底座通过角轴承连接。
[0018]在技术的一个实施例中，角轴承通过第一连接件与旋转机加件连接，第一连接件包括套筒和位于套筒顶部的端盖，端盖与旋转机加件通过螺栓连接，套筒与角轴承的内圈连接，角轴承的外圈与下底座连接。
[0019]技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0020]本技术所述的用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其设置了下底座、旋转电机、位于旋转电机内部的旋转机加件以及位于旋转机加件下方的气浮块和预压连接件，并且旋转机加件与下底座转动连接。这样气浮块提供向上的力支撑旋转机加件，磁铁对旋转机加件提供向下的磁预压，从而实现旋转机加件在其旋转平面内的实现轴向平衡，提高旋转机加件旋转时的平面度和端跳。另外，环形的旋转电机、旋转机加件和下底座围设形成空腔，气浮块和预压连接件位于空腔中，且预压连接件位于气浮块的旁侧。这样预压连接件和气浮块位于同一平面内，从而减小本申请的高度，避免由于高度过大导致整体运动重量质心偏高带来的平面度难以保证的问题。由此可见，本申请能够实现旋转机加件的高平面度和端跳的同时，减小整个旋转平台的高度。
附图说明
[0021]为了使技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据技术的具体实施例并结合附图，对技术作进一步详细的说明，其中
[0022]图1是本技术优选实施例中一种用于半导体加工的超高平面度的结构示意图；
[0023]图2是图1所示一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台的结构示意图（不包含旋转机加件）；
[0024]图3是图1所示一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台的剖面示意图；
[0025]说明书附图标记说明：100、下底座；
[0026]200、旋转电机；210、线圈；220、第一磁铁；221、第一凸起部；
[0027]300、旋转机加件；310、第二凸起部；320、角轴承；
[0028]400、气浮块；
[0029]500、预压连接件；
[0030]600、编码器；
[0031]700、环形光栅尺；
[0032]800、第一连接件。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和具体实施例对技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解技术并能予以实施，但所举实施例不作为对技术的限定。
[0034]参照图1~图3所示，技术提供了一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，包括：
[0035]下底座100；
[0036]环形的旋转电机200，位于下底座100的上方；
[0037]旋转机加件300，转动连接在下底座100的上方，且位于旋转电机200的内部；旋转电机200、旋转机加件300和下底座100围设形成空腔；
[0038]气浮块400，位于空腔中且与下底座100连接，气浮块400位于旋转机加件300的下方；
[0039]预压连接件500，位于空腔中且与下底座100连接，预压连接件500位于旋转机加件300的下方与旋转机加件300形成向下的预压力，预压连接件500位于气浮块400的旁侧。
[0040]具体地，本实施例设置了下底座100、旋转电机200、位于旋转电机200内部的旋转机加件300以及位于旋转机加件300下方的气浮块400和预压连接件500，并且旋转机加件300与下底座100转动连接。这样气浮块400提供向上的力支撑旋转机加件300，磁铁对旋转机加件300提供向下的磁预压，从而实现旋转机加件300在其旋转平面内的实现轴向平衡，提高旋转机加件300旋转时的平面度和端跳。另外，环形的旋转电机200、旋转机加件300和下底座100围设形成空腔，气浮块400和预压连接件500位于空腔中，且预压连接件500位于气浮块400的旁侧。这样预压连接件500和气浮块400位于同一平面内，从而减小本申请的高度，避免由于高度过大导致整体运动重量质心偏高带来的平面度难以保证的问题。由此可见，本申请能够实现旋转机加件300的高平面度和端跳的同时，减小整个旋转平台的高度。
[0041]进一步地，预压连接件500为两个第二磁铁，两个第二磁铁沿旋转机加件300旋本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其特征在于：包括：下底座；环形的旋转电机，位于所述下底座的上方；旋转机加件，转动连接在所述下底座的上方，且位于所述旋转电机的内部；所述旋转电机、所述旋转机加件和所述下底座围设形成空腔；气浮块，位于所述空腔中且与所述下底座连接，所述气浮块位于所述旋转机加件的下方；预压连接件，位于所述空腔中且与所述下底座连接，所述预压连接件位于所述旋转机加件的下方与所述旋转机加件形成向下的预压力，所述预压连接件位于所述气浮块的旁侧。2.根据权利要求1所述的用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其特征在于：所述预压连接件为两个第二磁铁，所述两个第二磁铁设置在所述气浮块的两侧。3.根据权利要求1所述的用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其特征在于：所述气浮块为多个，多个所述气浮块沿周向间隔设置。4.根据权利要求3所述的用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其特征在于：所述气浮块为三个，三个所述气浮块沿周向等分设置。5.根据权利要求1所述的用于半导体加工的超高平面度的气浮旋转平台，其特征在于：还包括编码器和环形光栅尺，所述环形光栅尺固定连接在所述旋转机加件的底部，且所述环形光栅位于所述气浮块的外侧，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许亚威，黄华，万磊，魏张，
申请(专利权)人：雅科贝思精密机电上海有限公司，
类型：新型
国别省市：