【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种注入机的保养方法。
技术介绍
1、离子注入机是半导体工艺中的关键设备之一。h注入机束流在从离子源到分析器再到加速管后到达靶盘，对束流通过空间的零部件精度，洁净度有极高的要求，注入过程中束流产生的能量对零部件有持续性的损耗，故每隔一段时间就需要对零部件进行保养。
2、h离子注入机主要有三大部分：离子源，束线腔，靶盘。从离子源引束开始，束流到靶室期间的真空金属件均不同程度的损伤。
3、对束线经过部位进行保养，需要进行破真空处理，零部件和大气接触，后续进行机台复机时，花费时间长，束线部位的不同零件所需保养时间不同，部分零件保养周期短，每次进行保养因复机花费时间较长。
4、综上所述，延长保养周期也是需要考虑的一个因素。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种注入机的保养方法，能够延长保养周期。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种注入机的保养方法，包括如下步骤：评估注入机中的金属零部件受到离子轰击的程度；根据被轰击程度来选择需要处理的金属零部件提高其表面粗糙度。
3、可选的，评估注入机中的金属零部件受到离子轰击的程度的步骤中，是评估所述注入机中的束线腔和加速管的金属零部件。
4、可选的，所述提高表面粗糙度的步骤是进行表面喷砂处理。所述表面喷砂的步骤采用二氧化硅喷砂机。还包括喷砂后清洗表面的步骤。
5、经过研判，发现注入机的主要污染来源来自于
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种注入机的保养方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，评估注入机中的金属零部件受到离子轰击的程度的步骤中，是评估所述注入机中的束线腔和加速管的金属零部件。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提高表面粗糙度的步骤是进行表面喷砂处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面喷砂的步骤采用二氧化硅喷砂机。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括喷砂后清洗表面的步骤。
【技术特征摘要】
1.一种注入机的保养方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，评估注入机中的金属零部件受到离子轰击的程度的步骤中，是评估所述注入机中的束线腔和加速管的金属零部件。
3.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶斐，张晨膑，何中余，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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