【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，涉及面向横向高压器件和智能功率集成电路 (SPICs)应用的具有逆向杂质浓度分布的P型硅埋层和薄隐埋氧化层的S0I (绝缘层上硅) 材料。
技术介绍
S0I横向高压器件由于其较小的体积、重量，很高的工作频率，较高的工作温度、很 高的电流密度、较强的抗辐照能力，较低的成本和较高的可靠性，和便于智能化集成用于实 现智能功率集成电路(SPICs)，作为无触点功率电子开关、功率驱动器或者射频(RF)功率 放大晶体管在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子、交通工具电力电子、能源、 采矿和通信等
中具有广泛应用。现有用于制作S0I横向高压器件的S0I材料多为厚隐埋氧化层、纵向掺杂类型单 一的薄顶层硅膜S0I材料。采用这种S0I材料制作的S0I横向高压器件的纵向耐压主要靠 厚隐埋氧化层承担。一方面，由于氧化层的热导率非常低，厚度又很大，给这类高压、大电 流、高功率器件带来严重的自加热问题和苛刻的散热条件要求，器件在使用过程中必须安 装笨重的散热器，很不利于节能降耗、保护环境、智能功率集成和科研、技术与产业发展；另 一方面，薄顶层硅膜...
【技术保护点】
用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜ＳＯＩ材料，依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、Ｐ型硅隐埋层和Ｎ型顶层硅膜；薄隐埋氧化层将半导体衬底与Ｐ型硅隐埋层完全隔离，Ｐ型硅隐埋层的上表面被Ｎ型顶层硅膜完全覆盖，其特征在于：所述的半导体衬底和Ｎ型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；其中，半导体衬底的材料为硅，厚度为１００～３００μｍ，掺杂杂质元素为硼、掺杂浓度为１０↑［１３］～１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］；所述的Ｎ型顶层硅膜的厚度为２～７０μｍ，掺杂杂质元素为磷、掺杂浓度为５×１０↑［１４］～２×１０↑［１６］ｃｍ↑［－３］；所述的薄隐埋氧化层的厚度为５０～３００ｎｍ，材料为二氧化硅；所...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海鹏，齐瑞生，洪玲伟，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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