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本发明涉及一种用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜ＳＯＩ材料。本发明依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、Ｐ型硅隐埋层和Ｎ型顶层硅膜。半导体衬底和Ｎ型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半导体衬底厚度为１００～３００μｍ，掺杂硼浓度为１０１３～１０...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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