System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种提高磁隔离控制器响应速度的方法技术_技高网

一种提高磁隔离控制器响应速度的方法技术

技术编号:40181581 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-26 23:47
本发明专利技术公开一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,属于电力电子领域,包括如下步骤:输出电压经过分压电路输入进误差放大器,误差放大器输出第一反馈信号;此外,该输出电压经过频率补偿电路输出第二反馈信号;数字处理器或MOS管模拟电路,数字处理器对输入的第一反馈信号和第二反馈信号进行运算合成,得到频率补偿控制信号,再通过编码器进行编码;MOS管模拟电路对输入的第一反馈信号和第二反馈信号进行相减得到控制信号,通过转换后传递给编码器;磁隔离器作为传输载体,将编码后的信号以高频形式传输到原边控制器。本发明专利技术能在系统参数发生突变的过程中能够实现快速的反馈控制信号响应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子,特别涉及一种提高磁隔离控制器响应速度的方法


技术介绍

1、现有传统隔离电源使用磁隔离反馈控制系统大多只是对输出比例电压和基准电压比较后得到的误差电压进行反馈控制。这种形式的控制方法响应速度不够快,导致系统的动态响应性能较差。不能满足快速响应调整输出电压的要求。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,以解决
技术介绍
中的问题。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,包括如下步骤:

3、输出电压经过分压电路输入进误差放大器,误差放大器输出第一反馈信号;此外,该输出电压经过频率补偿电路输出第二反馈信号;

4、数字处理器或mos管模拟电路,数字处理器对输入的第一反馈信号和第二反馈信号进行运算合成,得到频率补偿控制信号,再通过编码器进行编码;mos管模拟电路对输入的第一反馈信号和第二反馈信号进行相减得到控制信号,通过转换后传递给编码器;

5、磁隔离器作为传输载体,将编码后的信号以高频形式传输到原边控制器。

6、在一种可实现的实施方式中,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括数字处理器时,第一反馈信号和第二反馈信号为电压信号,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法还包括两个模数转换电路,分别对两个电压信号进行转换为数字信号。

7、在一种可实现的实施方式中,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括mos管模拟电路时,第一反馈信号和第二反馈信号的差值控制mos管模拟电路得到误差电流;该误差电流通过固定电阻得到误差电压后,传递给编码器进行编码转换。

8、在一种可实现的实施方式中,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括mos管模拟电路时,第一反馈信号和第二反馈信号的差值控制mos管模拟电路得到误差电流;该误差电流通过电流镜像电路得到比例调制后的误差电流;调制后的误差电流在固定电阻上转换为误差电压,然后传递给编码器进行编码转换。

9、在一种可实现的实施方式中,所述误差放大器的正输入端连接基准电压,负输入端连接分压电路。

10、本专利技术提供的一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,在系统参数发生突变的过程中能够实现快速的反馈控制信号响应。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是实现对输出电压调整的快速响应,减小输出电压的超调值和建立时间。

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【技术保护点】

1.一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括数字处理器时,第一反馈信号和第二反馈信号为电压信号,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法还包括两个模数转换电路,分别对两个电压信号进行转换为数字信号。

3.如权利要求1所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括MOS管模拟电路时,第一反馈信号和第二反馈信号的差值控制MOS管模拟电路得到误差电流;该误差电流通过固定电阻得到误差电压后,传递给编码器进行编码转换。

4.如权利要求1所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括MOS管模拟电路时,第一反馈信号和第二反馈信号的差值控制MOS管模拟电路得到误差电流;该误差电流通过电流镜像电路得到比例调制后的误差电流;调制后的误差电流在固定电阻上转换为误差电压,然后传递给编码器进行编码转换。

5.如权利要求1-4任一项所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述误差放大器的正输入端连接基准电压,负输入端连接分压电路。

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【技术特征摘要】

1.一种提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括数字处理器时,第一反馈信号和第二反馈信号为电压信号,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法还包括两个模数转换电路,分别对两个电压信号进行转换为数字信号。

3.如权利要求1所述的提高磁隔离控制器响应速度的方法,其特征在于,所述提高磁隔离控制器响应速度的方法包括mos管模拟电路时,第一反馈信号和第二反馈信号的差值控制mos管模拟电路得到误差电流;该误...

【专利技术属性】
技术研发人员:周健赵庭晨尚伟林
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所
类型:发明
国别省市:

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