【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子制造，特别涉及一种掩模板及其制备方法。
技术介绍
1、掩模(mask)是微纳米加工技术光刻工艺所使用的图形底板。所述图形底板上形成有芯片设计的电路信息结构图形，通过光刻工艺可以将芯片设计的电路信息结构图形转移到晶圆上。掩模的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩模，如集成电路(integrated circuit，ic)、平板显示器(flat panel display，fpd)、印刷电路板(printedcircuit boards，pcb)、微机电系统(micro electro mechanical systems，mems)等。
2、目前，在光刻工艺中i线(波长为365nm的紫外线光)是微电子与集成电路生产中用量最大、用途最广的一类光束。i线的光刻分辨率可达0.35μm，则为满足i线的光刻要求，且鉴于金属铬(cr)与石英玻璃之间的粘附性较佳，现有的掩模板一般采用cr作为掩模材料，且厚度范围为100nm～150nm。在这种厚度条件下，波与物质之间会形成较强的相互作用，极易产生掩模的三维效应，且三维效应容易导致掩模图形的侧壁呈梯形状，不利于刻蚀等后续工艺对微纳米图形的处理，严重影响产品的光刻质量。然而，现有技术中为了兼顾i线的光刻要求和缓解掩模的三维效应，cr基掩模板的厚度已经被减少到不透光的极限，无法进一步减薄。
3、因此，亟需一种新的掩模结构，来解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种掩模板及其制
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩模板，包括基板以及依次层叠于所述基板上的遮光层、粘附层和减反层；其中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物。
3、可选的，在所述的掩模板中，所述二维过渡金属硫化物包括mos2和/或mos2同族化合物。
4、可选的，在所述的掩模板中，所述遮光层的厚度范围为10nm～60nm。
5、可选的，在所述的掩模板中，所述减反层的材质包括金属化合物或氧化物；且厚度范围为：10nm～30nm。
6、可选的，在所述的掩模板中，所述粘附层的材质包括cr、含cr化合物、sn或ti，且厚度范围为10nm～30nm。
7、可选的，在所述的掩模板中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物mos2，且厚度为60nm；所述粘附层的材质包括cr，且厚度为10nm；以及，所述减反层的材质包括cron，且厚度为10nm。
8、可选的，在所述的掩模板中，所述遮光层、所述粘附层和所述减反层上均形成有光刻图形。
9、基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种掩模板的制备方法，包括：
10、提供一基板；
11、在所述基板上依次层叠设置有遮光层、粘附层和减反层；其中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物；
12、在所述减反层的顶表面形成图案化光刻胶层；
13、以所述图案化光刻胶层为阻挡，依次刻蚀所述减反层、所述粘附层和所述遮光层，以在所述减反层、所述粘附层和所述遮光层上形成光刻图形。
14、可选的，在所述的掩模板的制备方法中，在所述减反层的顶表面形成图案化光刻胶层之前，对形成有所述遮光层、所述粘附层和所述减反层的所述基板执行热退火工艺。
15、可选的，在所述的掩模板的制备方法中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺依次刻蚀所述减反层、所述粘附层和所述遮光层，以在所述减反层、所述粘附层和所述遮光层上形成所述光刻图形。
16、综上所述，本专利技术提供一种掩模板及其制备方法。其中，所述掩模板包括基板以及依次层叠于所述基板上的遮光层、粘附层和减反层；其中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物。相较于现有技术，本专利技术提供的所述掩模板利用二维过渡金属硫化物来替代传统的金属遮挡材料，以利用所述二维过渡金属硫化物较高的消光系数，构建出膜层厚度低且满足i线光刻分辨率的掩模板，有效缓解因膜层厚度过高而导致的掩模的三维效应，从而提高光刻图形侧壁的垂向性和光刻质量，同时还能够减少对应的i线光刻胶用量，降低光刻工艺成本。
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1.一种掩模板，其特征在于，包括基板以及依次层叠于所述基板上的遮光层、粘附层和减反层；其中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述二维过渡金属硫化物包括MoS2和/或MoS2同族化合物。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述遮光层的厚度范围为10nm～60nm。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述减反层的材质包括金属化合物或氧化物；且厚度范围为：10nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述粘附层的材质包括Cr、含Cr化合物、Sn或Ti，且厚度范围为10nm～30nm。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的掩模板，其特征在于，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物MoS2，且厚度为60nm；所述粘附层的材质包括Cr，且厚度为10nm；以及，所述减反层的材质包括CrON，且厚度为10nm。
7.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述遮光层、所述粘附层和所述减反层上均形成有光刻图形。
8.一种
9.根据权利要求8所述的掩模板的制备方法，其特征在于，在所述减反层的顶表面形成图案化光刻胶层之前，对形成有所述遮光层、所述粘附层和所述减反层的所述基板执行热退火工艺。
10.根据权利要求8或9所述的掩模板的制备方法，其特征在于，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺依次刻蚀所述减反层、所述粘附层和所述遮光层，以在所述减反层、所述粘附层和所述遮光层上形成所述光刻图形。
...【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括基板以及依次层叠于所述基板上的遮光层、粘附层和减反层；其中，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述二维过渡金属硫化物包括mos2和/或mos2同族化合物。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述遮光层的厚度范围为10nm～60nm。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述减反层的材质包括金属化合物或氧化物；且厚度范围为：10nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述粘附层的材质包括cr、含cr化合物、sn或ti，且厚度范围为10nm～30nm。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的掩模板，其特征在于，所述遮光层的材质包括二维过渡金属硫化物mos2...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘添彪，林岳明，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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