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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是涉及一种监控光刻机卡盘间套刻差异的方法。
技术介绍
1、asml xt平台光刻机采用双工作台(双chuck),可以有效提升产出效率,但也对卡盘(chuck)间套刻精度(overlay)匹配带来了挑战。先进节点的ic产品,套刻精度(overlay)规范要求极高,通常在几纳米。
2、晶圆(wafer)在曝光作业前,会先做晶圆工作台(waferstage)对位,通过透射成像传感器1(tis1)和透射成像传感器2(tis2)标记(mark)对位来确定平移量(translation)、放大倍数(magnification)及旋转量(rotation)参数,并准确得到晶圆工作台(waferstage)的卡盘(chuck)坐标系统,同时修正对位传感器(sensor)产生的不同阶次偏移量(sbo,shift between order)偏差。
3、产品套刻精度(overlay)出现卡盘(chuck)间的明显差异,排查发现tis mark被灼伤,两个卡盘(chuck)sbo漂移程度不同,卡盘(chuck)间差异逐渐变大,影响到对位translation y的补偿结果。由于产品套刻精度(overlay)的残值正常,目前常规fdc参数无法卡控住。此外,由于卡盘(chuck)的sbo本身正常表现为缓慢上升或下降趋势,故也无法通过fdc卡控固定值来有效监控卡盘(chuck)间差异的变化程度。
4、针对卡盘(chuck)间的套刻精度(overlay)差异,一般在机台保养时才会确认,即使以在线产
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,用于解决现有技术中无法实时监测卡盘之间套刻精度的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,至少包括:
3、步骤一、提取晶圆平台对位时不同光源、不同阶次、不同方向的sbo数据;
4、步骤二、通过fdc后台数据处理,计算晶圆每个批次对应卡盘、所有晶圆的sbo数据的标准差;
5、步骤三、建立fdc虚拟参数,将晶圆的每个批次的sbo数据的标准差进行收值;
6、步骤四、建立fdc图表,设置ooc线和oos线及spc规则,当晶圆批次的sbo数据的标准差超过ooc线和oos线时,fdc自动将其扣留并发送邮件提醒。
7、优选地,步骤一中按照晶圆及卡盘提取晶圆平台对位时不同光源、不同阶次、不同方向的sbo数据。
8、优选地,步骤一中的所述sbo数据为次序之间的漂移数据。
9、优选地,步骤二中的所述fdc为错误侦测与分类系统。
10、优选地,步骤二中所述晶圆每个批次对应卡盘的个数为两个。
11、优选地,步骤二中计算晶圆每个批次对应卡盘、所有晶圆的sbo数据的标准差的方法包括:分别先计算晶圆在两个卡盘的sbo数据;之后计算该两个卡盘的sbp数据的标准差。
12、优选地,步骤三中将晶圆的每个批次的sbo数据的标准差进行收值指的是:以晶圆的批次为单位对不同批次的sbo数据的标准差进行数据显示。
13、优选地,步骤四中的所述ooc线为超出控制界限线。
14、优选地,步骤四中的所述oos线为超出规格线。
15、优选地,步骤四中的所述spc规则为设置当sbo数据的标准差超过ooc线和oos线时如何执行任务。
16、如上所述,本专利技术的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,具有以下有益效果:本专利技术设置异常侦测模型,当晶圆批次标准差数值超过规格时,fdc自动扣留并发邮件提醒,实现有效、精准管控。
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1.一种监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于,至少包括:
2.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤一中按照晶圆及卡盘提取晶圆平台对位时不同光源、不同阶次、不同方向的SBO数据。
3.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤一中的所述SBO数据为次序之间的漂移数据。
4.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中的所述FDC为错误侦测与分类系统。
5.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中所述晶圆每个批次对应卡盘的个数为两个。
6.根据权利要求5所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中计算晶圆每个批次对应卡盘、所有晶圆的SBO数据的标准差的方法包括:分别先计算晶圆在两个卡盘的SBO数据;之后计算该两个卡盘的SBO数据的标准差。
7.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤三中将晶圆的每个批次的SBO数据的标准差进行收值指的是:以晶圆的批次
8.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤四中的所述OOC线为超出控制界限线。
9.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤四中的所述OOS线为超出规格线。
10.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤四中的所述SPC规则为设置当SBO数据的标准差超过OOC线和OOS线时如何执行任务。
...【技术特征摘要】
1.一种监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于,至少包括:
2.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤一中按照晶圆及卡盘提取晶圆平台对位时不同光源、不同阶次、不同方向的sbo数据。
3.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤一中的所述sbo数据为次序之间的漂移数据。
4.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中的所述fdc为错误侦测与分类系统。
5.根据权利要求1所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中所述晶圆每个批次对应卡盘的个数为两个。
6.根据权利要求5所述的监控光刻机卡盘间套刻差异的方法,其特征在于:步骤二中计算晶圆每个批次对应卡盘、所有晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄发彬,李玉华,金乐群,朱至渊,刘鹏,朱钰妍,刘文豪,石朗晨,
申请(专利权)人:华虹半导体无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
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