【技术实现步骤摘要】
本技术涉及红外完美吸收器，尤其是涉及一种近红外全波段吸收器。
技术介绍
1、完美吸收器具有广泛的应用领域，例如在太阳能研究领域，所需要的吸收率通常是由器件表面产生的等离子体共振限制电磁场得到，长期研究结果已经表明：通过完美吸收器可以提高太阳能的捕获率，若将完美吸收器纳入太阳能电池板，可使电池板的使用效率明显提高。但迄今为止，由于无法通过现有器件和设计得到覆盖全太阳能波段的吸收器，研究者仍需要在电池板中加入吸收不同波长的吸收器，因此制约着太阳能吸收率的提高和深入研究，所以，全波段完美吸收器对于太阳能电池研究中与太阳能吸收率相关科学技术研究，是一个至关重要的器件。
2、中国技术专利“一种超宽带吸收器”，专利号：cn202121139147.0。该吸收器具有很多优点，但是。仍然存在一些本质不足：1)此吸收器在超宽带范围内吸收率较低，上下表面吸收率不同，上面吸收率仅为92％；2)吸收器未显示是否对偏振角敏感，限制了吸收器的使用范围。
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种近红外全波段吸收器，不仅结构简单，具有超宽吸收波段，在吸收范围内平均可以达到99％的吸收率；本方案中的完美吸收器，是基于表面等离子体共振而设计的一种全新的超宽带完美吸收器，有助于实现超宽带光源器件的研究。
2、本技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
3、本技术提供了一种近红外全波段吸收器，包括基底层、中心介质层、镍金属层，其中具体地：
4
5、中心介质层设于所述基底层上，所述中心介质层为氮化硅圆柱阵列，所述氮化硅圆柱阵列由多个氮化硅圆柱单元周期阵列式排布得到；
6、镍金属层设于所述中心介质层上。
7、进一步地，所述镍金属层设于各个氮化硅圆柱单元上。
8、进一步地，所述镍金属层的厚度为10nm。
9、进一步地，所述氮化硅圆柱单元的半径为87.4nm。
10、进一步地，所述中心介质层的厚度为286nm。
11、进一步地，所述基底层为金属金。
12、进一步地，所述基底层的厚度为92nm。
13、进一步地，所述氮化硅圆柱阵列呈均匀周期性阵列分布。
14、进一步地，相邻氮化硅圆柱单元之间的间距为230nm。
15、进一步地，所述中心介质层沉积于所述基底层上，所述镍金属层沉积于所述中心介质层上。
16、进一步地，该器件实现了800nm-3000nm波段范围内平均吸收率大于99％的吸收器。
17、进一步地，该器件吸收特性是基于金属表面等离子体共振效应。
18、进一步地，该器件对入射角在30度角度范围内变化不敏感。
19、进一步地，该器件对偏振角在90度角度范围内变化不敏感。
20、与现有技术相比，本技术具有以下技术优势：
21、本技术方案结构简单，利用表面等离子体共振，对器件周围的电磁场产生限制从而达到完美吸收的目的，具有实施方便、超宽带光谱，可广泛应用于太阳能收集、隐形技术、光学传感及成像等领域。
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1.一种近红外全波段吸收器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述镍金属层(1)设于各个氮化硅圆柱单元上。
3.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述镍金属层(1)的厚度为10nm。
4.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述氮化硅圆柱单元的半径为87.4nm。
5.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述中心介质层(2)的厚度为286nm。
6.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述基底层(3)为金属金。
7.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述基底层(3)的厚度为92nm。
8.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述氮化硅圆柱阵列呈均匀周期性阵列分布。
9.根据权利要求8所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，相邻氮化硅圆柱单元之间的间距为230nm。
10.根据权利要求1所述的一种近红外全波
...【技术特征摘要】
1.一种近红外全波段吸收器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述镍金属层(1)设于各个氮化硅圆柱单元上。
3.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述镍金属层(1)的厚度为10nm。
4.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述氮化硅圆柱单元的半径为87.4nm。
5.根据权利要求1所述的一种近红外全波段吸收器，其特征在于，所述中心介质层(2)的厚度为286nm。
6.根据权利要求1所述的一种近红外全波段...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡天涵，王琦，张大伟，张世杰，景韵森，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：新型
国别省市：
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