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本技术涉及一种近红外全波段吸收器，包括基底层、中心介质层、镍金属层，其中具体地：基底层为导体金属材料；中心介质层设与所述基底层上，所述中心介质层为氮化硅圆柱阵列，所述氮化硅圆柱阵列由多个氮化硅圆柱单元周期性阵列式排布得到；镍金属层设于所述中...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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