稳定ＳＲＡＭ单元制造技术

本发明专利技术描述了ＳＲＡＭ单元和ＳＲＡＭ单元阵列。在一个实施例中，ＳＲＡＭ单元包括第一倒相器、以及与第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点的第二倒相器。ＳＲＡＭ单元进一步包括第一传输门晶体管和开关晶体管。第一传输门晶体管的第一源极／漏极连接至第一数据存储节点，并且第一传输门晶体管的第二源极／漏极连接至第一位线。开关晶体管的第一源极／漏极连接至第一传输门晶体管的栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术整体涉及半导体存储器，尤其涉及稳定静态随机存取存储单元。
技术介绍
半导体存储器件包括例如静态随机存取存储器，或SRAM，以及动态随机存取存储 器，或DRAM。DRAM存储单元仅具有一个晶体管和一个电容器，因此其提供高度集成。由于 DRAM要求不断刷新，因此其功率消耗和慢速度限制了其主要用于计算机主存储器的使用。 换句话说，SRAM单元是双稳态的，意味着只要提供足够的功率，它就可以无限期地保持其状 态。SRAM可以以更高速度操作，消耗更低的功率，因此计算机缓存存储器使用专用SRAM。其 他应用包括嵌入式存储器和联网设备存储器。SRAM单元的一种众所周知的传统结构为包括六个金属氧化物半导体(MOS)晶体 管的六晶体管(6-T)单元。如图1所示，6-T SRAM单元100包括两个相同的交叉连接的倒 相器102和104，形成锁存电路，即，一个倒相器的输出连接至另一个倒相器的输入。锁存电 路连接于电源和地电位之间。参考图1，每个倒相器102或104均分别包括匪OS下拉晶体管115或125和PMOS 上拉晶体管110或120。倒相器的输出用作两个存储节点，Q和QB。当存储节点之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元，包括：第一倒相器；第二倒相器，与所述第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点；第一传输门晶体管，具有第一源极／漏极、第二源极／漏极以及栅极，其中，所述第一传输门晶体管的所述第一源极／漏极连接至所述第一数据存储节点，并且所述第一传输门晶体管的所述第二源极／漏极连接至第一位线；以及开关晶体管，具有第一源极／漏极、第二源极／漏极、以及栅极，其中，所述开关晶体管的所述第一源极／漏极连接至所述第一传输门晶体管的所述栅极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄怀莹，林佑宽，洪圣强，张峰铭，陈瑞麟，王屏薇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]