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本发明描述了SRAM单元和SRAM单元阵列。在一个实施例中,SRAM单元包括第一倒相器、以及与第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点的第二倒相器。SRAM单元进一步包括第一传输门晶体管和开关晶体管。第一...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明描述了SRAM单元和SRAM单元阵列。在一个实施例中,SRAM单元包括第一倒相器、以及与第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点的第二倒相器。SRAM单元进一步包括第一传输门晶体管和开关晶体管。第一...