【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆载盘环清洗，具体的，涉及一种晶圆载盘环的清洗方法。
技术介绍
1、晶圆载盘在外延工艺时用于承载晶圆，以便进行外延生长。如图1至图4所示，现有的一种晶圆载盘包括载盘主体1和晶圆载盘环2，晶圆载盘环2安装在载盘主体1上，载盘主体1和晶圆载盘环2配合形成容纳槽3，容纳槽3用于放置晶圆4，载盘主体1的凸台部11和晶圆载盘环2的内环部21形成放置晶圆4的平台。晶圆载盘环2可有利晶圆4的搬运，在需要搬运晶圆4时，可将晶圆载盘环2与载盘主体1分离，从而利用晶圆载盘环2的内环部21移动晶圆4，减少晶圆4的损伤。
2、晶圆载盘通常安装于mocvd腔体内部，每次使用时，均需要进行清洗。目前，mocvd腔体内部的部件多使用氯气进行清洁，同时也包括对晶圆载盘进行清洁。但是，随着氯气清洁次数的增加，氯气对晶圆载盘环上附着的铝化合物、镓化合物以及铝镓化合物等附着物的清洗效果就会变差，导致每次外延重复生长的条件都会发生微小变化，残留在晶圆载盘环上的附着物会造成外延片边缘雾化，且随着附着越来越严重，雾化区域由边缘向中心蔓延，进而影响产品性能。
3、因此，需要考虑更加优化的清洗方法。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种可以有效解决氯气对晶圆载盘环上附着的铝化合物、镓化合物以及铝镓化合物的清洗效果变差问题的晶圆载盘环的清洗方法。
2、为了实现上述第一目的，本专利技术提供的晶圆载盘环的清洗方法包括：在对晶圆载盘环进行氯气清洗后，将晶圆载盘环放入氢氧化钠
3、由上述方案可知，本专利技术的晶圆载盘环的清洗方法在经过多次氯气清洁后加入氢氧化钠和超纯水的混合药液中清洗，能够有效的清除晶圆载盘环上的附着的铝化合物、镓化合物以及铝镓化合物等，从而解决清洗效果变差导致外延片边缘雾化的问题，提高产品性能。
4、进一步的方案中，混合药液中氢氧化钠和超纯水的比例为1：9。
5、由此可见，混合药液中氢氧化钠和超纯水为1：9的比例，可优化混合药液的配比。
6、进一步的方案中，将晶圆载盘环放入氢氧化钠和超纯水以预设比例混合的混合药液中进行超声清洗的步骤包括：将混合药液的温度维持在第一预设温度范围，控制超声发生器以扫频模式、第一预设频率和第一预设功率对晶圆载盘环清洗第一预设时长。
7、由此可见，将混合药液的温度维持在第一预设温度范围并控制超声发生器以扫频模式、第一预设频率和第一预设功率对晶圆载盘环清洗，可使晶圆载盘环上的附着物与混合药液反应，提高清除效果。
8、进一步的方案中，利用超纯水对晶圆载盘环进行残留药液和分解物的清洗的步骤包括：对晶圆载盘环喷淋超纯水；将晶圆载盘环放入超纯水中进行超声清洗；重复上述步骤预设次数。
9、由此可见，对晶圆载盘环喷淋超纯水并将晶圆载盘环放入超纯水中进行超声清洗，可对晶圆载盘环进行残留药液和分解物的清洗，提高晶圆载盘环的清洁度。且重复上述步骤预设次数，可进一步提高清洗效果。
10、进一步的方案中，对晶圆载盘环喷淋超纯水的步骤包括：对晶圆载盘环喷淋超纯水持续第二预设时长。
11、由此可见，对晶圆载盘环喷淋超纯水持续第二预设时长，可初步去除晶圆载盘环上的残留药液和分解物。
12、进一步的方案中，将晶圆载盘环放入超纯水中进行超声清洗的步骤包括：将超纯水的温度维持在第二预设温度范围，控制超声发生器以扫频模式、第二预设频率和第二预设功率对晶圆载盘环清洗第三预设时长。
13、由此可见，将超纯水的温度维持在第二预设温度范围，控制超声发生器以扫频模式、第二预设频率和第二预设功率对晶圆载盘环清洗，可对晶圆载盘环上的残留药液和分解物进行深度清洁，提高清洁力度。
14、进一步的方案中，将晶圆载盘环放入烤箱进行烘烤干燥的步骤前，还包括：使用氮气吹扫干燥晶圆载盘环的表面。
15、由此可见，在将晶圆载盘环放入烤箱进行烘烤干燥前，使用氮气吹扫干燥晶圆载盘环的表面，可吹扫晶圆载盘环上残留的水渍，避免烘干时形成水渍痕迹。
16、进一步的方案中，将晶圆载盘环放入烤箱进行烘烤干燥的步骤后，还包括：使用异丙醇擦拭晶圆载盘环，并使用氮气吹扫干燥。
17、由此可见，将晶圆载盘环进行烘烤干燥后，使用异丙醇擦拭晶圆载盘环，进一步清洁晶圆载盘环，提高清洁度。
18、进一步的方案中，使用氮气吹扫干燥的步骤包括：维持氮气压力在预设压力范围且维持氮气流量在预设流量范围，吹扫第四预设时长。
19、由此可见，在使用氮气吹扫干燥时，维持氮气压力在预设压力范围且维持氮气流量在预设流量范围，可确保干燥效果。
20、进一步的方案中，将晶圆载盘环放入烤箱进行烘烤干燥的步骤后，还包括：将晶圆载盘环放入氮气柜中存放。
21、由此可见，将晶圆载盘环放入氮气柜中存放，可进行干燥保存，避免受到污染。
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1.一种晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
7.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
8.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
10.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶圆载盘环的清洗方法，其特征在于：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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