【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆键合，特别是涉及一种晶圆键合强度的检测设备以及一种晶圆键合强度的检测方法。
技术介绍
1、晶圆是半导体制备领域中常见的一种产品结构；随着晶圆的横向发展的研发方向受限，晶圆开始逐步转向纵向发展的研发方向，也即是将两片甚至多片晶圆之间键合为一体。而晶圆之间键合部位的稳固性直接影响晶圆在实际应用中的性能。
2、如图1所示，行业内目前检测晶圆键合的方式均是将刀片向晶圆之间的键合部位插入，使得两个晶圆结构之间形成裂缝；而已知键合强度公式为：其中，γ为键合强度，tb为刀片厚度；
3、e1、e1分别为上下两个晶圆的杨氏模量；tw1、tw2分别为上下两个晶圆的厚度；l为裂缝长度。由此，在两个晶圆的杨氏模量和厚度以及刀片厚度等相关参数已知的情况下，只需要测得刀片切割两个晶圆之间的键合部位所产生的裂缝长度，即可确定出两个晶圆之间的键合强度。但在实际确定晶圆键合强度的过程中，对裂缝长度的检测往往难以保证其准确可靠性，也就无法准确确定晶圆的键合强度。
技术实现思路
1、本...
【技术保护点】
1.一种晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，所述驱动组件上还设置有摄像装置；所述驱动组件包括第一驱动结构和第二驱动结构；
3.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，所述超声波检测组件包括超声波检测仪，用于向所述超声波检测仪的检测端口和所述待检测晶圆表面之间注入去离子水的注水装置，以及带动所述超声波检测仪沿平行于所述待检测晶圆表面移动的移动平台。
4.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，还包括用于切除两个所述待检测晶圆的外圈晶圆结构的激...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，所述驱动组件上还设置有摄像装置；所述驱动组件包括第一驱动结构和第二驱动结构；
3.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，所述超声波检测组件包括超声波检测仪，用于向所述超声波检测仪的检测端口和所述待检测晶圆表面之间注入去离子水的注水装置，以及带动所述超声波检测仪沿平行于所述待检测晶圆表面移动的移动平台。
4.如权利要求1所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，还包括用于切除两个所述待检测晶圆的外圈晶圆结构的激光器；其中，所述外圈晶圆结构为两个所述待检测晶圆被切割形成裂缝的部分晶圆结构。
5.如权利要求1至4任一项所述的晶圆键合强度的检测设备，其特征在于，所述承载组件包括用于承载所述待检测晶圆的承载支柱，以及用于驱动所述承载支柱旋转的旋转马达。
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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