【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及microled芯片，具体的，涉及一种全彩堆叠microled芯片，还涉及该全彩堆叠microled芯片的制作方法。
技术介绍
1、当前，microled垂直全彩堆叠芯片主要采用制作方式是：通过三片不同颜色晶圆分别键合，并采用键合集成(或金属电极连接)等工艺进行连接，实现工艺流程具体如下：将蓝光led与cmos背板键合集成后去除蓝光led硅衬底；将绿光led与去衬底后的蓝光led键合集成(或金属电极连接)后去除绿光led硅衬底；将红光led与去衬底后的绿光led键合集成(或金属电极连接)后去除红光led衬底。
2、但是，该工艺通过对三个颜色的led晶圆进行单独外延制作，再将三个颜色的led晶圆进行键合，工艺较为复杂。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的是提供一种可优化外延结构，简化单片全彩集成工艺的全彩堆叠microled芯片的制作方法。
2、本专利技术的第二目的是提供一种可优化外延结构，简化单片全彩集成工艺的全彩堆叠microled芯片。
3、为了实现上述第一目的，本专利技术提供的全彩堆叠microled芯片的制作方法包括：制作蓝绿光双色led晶圆和制作红光单色led晶圆；在蓝绿光双色led晶圆上形成第一电极层，在制作红光单色led晶圆上形成第二电极层；将第一电极层和第二电极层进行键合，并去除蓝绿光双色led晶圆的衬底层，获得红绿蓝光三色led晶圆；在红绿蓝光三色led晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成microled芯片
4、由上述方案可知，本专利技术的全彩堆叠microled芯片的制作方法通过制作蓝绿光双色led晶圆和制作红光单色led晶圆，再将蓝绿光双色led晶圆和制作红光单色led晶圆进行键合，考虑了蓝绿光led均采用硅基gan材料体系，可进行同质外延的方式生成，从而节省了多次键合的步骤，优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
5、进一步的方案中，制作蓝绿光双色led晶圆的步骤包括：采用外延生长获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色led晶圆。
6、由此可见，蓝绿光双色led晶圆中，不同发光波长多量子阱之间的连接可通过量子隧穿结实现，可优化外延结构。
7、进一步的方案中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色led晶圆的步骤包括：在gan单晶衬底上逐层外延出n型重掺杂gan外延层、蓝光多量子阱、第一电子阻挡层、p型掺杂gan外延层、p型重掺杂gan外延层、n型ingan外延层、第二电子阻挡层、绿光多量子阱、第三电子阻挡层、p型掺杂gan外延层、p型重掺杂gan外延层。
8、进一步的方案中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色led晶圆的步骤包括：在gan单晶衬底上逐层外延出n型重掺杂gan外延层、绿光多量子阱、第一电子阻挡层、p型掺杂gan外延层、p型重掺杂gan外延层、n型ingan外延层、第二电子阻挡层、蓝光多量子阱、第三电子阻挡层、p型掺杂gan外延层、p型重掺杂gan外延层。
9、由此可见，绿光多量子阱和蓝光多量子阱的位置可根据需要进行设置。
10、进一步的方案中，制作红光单色led晶圆的步骤包括：在gaas衬底上生成红色alingap外延层晶圆。
11、进一步的方案中，在红绿蓝光三色led晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成microled芯片的步骤包括：由红绿蓝光三色led晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光led外延层，形成第一台面；在红绿蓝光三色led晶圆的顶部形成第一n型电极，在第一台面形成第二n型电极；将第一n型电极和第二n型电极互联，形成共n极。
12、由此可见，通过蚀刻在红光led外延层形成第一台面，并在红绿蓝光三色led晶圆的顶部形成第一n型电极，在第一台面形成第二n型电极，再将第一n型电极和第二n型电极互联，从而形成共n极，可形成电回路。
13、进一步的方案中，全彩堆叠microled芯片的制作方法还包括：在形成第一n型电极和第二n型电极之前，在红绿蓝光三色led晶圆的顶部至第一台面的侧壁上进行镀膜，形成钝化层；将第一n型电极和第二n型电极互联时，在钝化层上形成金属连接层，使金属连接层将第一n型电极和第二n型电极互联。
14、由此可见，在红绿蓝光三色led晶圆的顶部至第一台面的侧壁上进行镀膜，再在钝化层上形成金属连接层连接第一n型电极和第二n型电极，可提高连接的稳定性，同时，设置钝化层，可避免金属连接层与其他层连接。
15、进一步的方案中，由红绿蓝光三色led晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光led外延层，形成第一台面时，还包括：
16、由此可见，由红绿蓝光三色led晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至第二个颜色led外延层，可有利于减少该颜色led外延层的遮挡。
17、为了实现上述第二目的，本专利技术提供的全彩堆叠microled芯片，包括衬底层和红绿蓝光led外延层，红绿蓝光led外延层设置在衬底层上，红绿蓝光led外延层包括红光led外延层和蓝绿双色led外延层，红光led外延层和蓝绿双色led外延层由下往上依次设置在衬底层上，红光led外延层和蓝绿双色led外延层键合；蓝绿双色led外延层包括蓝光led外延层和绿光led外延层，蓝光led外延层和绿光led外延层通过量子隧穿结连接。
18、由上述方案可见，本专利技术的全彩堆叠microled芯片通过红光led外延层和蓝绿双色led外延层键合，考虑了蓝绿光led均采用硅基gan材料体系，可进行同质外延的方式生成，可节省多次键合的步骤，优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
19、进一步的方案中，红绿蓝光led外延层设置有第一台面，第一台面位于红光led外延层；红绿蓝光led外延层的顶部设置有第一n型电极，第一台面上设置有第二n型电极，第一n型电极和第二n型电极互联。
20、由此可见，在红绿蓝光led外延层的顶部形成第一n型电极，在第一台面形成第二n型电极，再将第一n型电极和第二n型电极互联，从而形成共n极，可形成电回路。
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1.一种全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至5任一项所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
8.根据权利要求6所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
9.全彩堆叠MicroLED芯片，包括衬底层和红绿蓝光LED外延层，红绿蓝光LED外延层设置在所述衬底层上，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的全彩堆叠MicroLED芯片，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种全彩堆叠microled芯片的制作方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的全彩堆叠microled芯片的制作方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的全彩堆叠microled芯片的制作方法，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的全彩堆叠microled芯片的制作方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的全彩堆叠microled芯片的制作方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至5...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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